MOSFETχρησιμοποιούνται ευρέως. Τώρα μερικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μεγάλης κλίμακας χρησιμοποιούνται MOSFET, η βασική λειτουργία και τρανζίστορ BJT, είναι η μεταγωγή και η ενίσχυση. Βασικά το BJT triode μπορεί να χρησιμοποιηθεί όπου μπορεί να χρησιμοποιηθεί και σε ορισμένα σημεία η απόδοση είναι καλύτερη από την τρίοδο.
Ενίσχυση MOSFET
MOSFET και BJT τρίοδος, αν και και οι δύο συσκευές ενισχυτή ημιαγωγών, αλλά περισσότερα πλεονεκτήματα από την τρίοδο, όπως η υψηλή αντίσταση εισόδου, η πηγή σήματος σχεδόν καθόλου ρεύμα, το οποίο ευνοεί τη σταθερότητα του σήματος εισόδου. Είναι μια ιδανική συσκευή ως ενισχυτής σταδίου εισόδου και έχει επίσης τα πλεονεκτήματα του χαμηλού θορύβου και της καλής σταθερότητας θερμοκρασίας. Συχνά χρησιμοποιείται ως προενισχυτής για κυκλώματα ενίσχυσης ήχου. Ωστόσο, επειδή είναι μια συσκευή ρεύματος ελεγχόμενης τάσης, το ρεύμα αποστράγγισης ελέγχεται από την τάση μεταξύ της πηγής πύλης, ο συντελεστής ενίσχυσης της διαγωγιμότητας χαμηλής συχνότητας γενικά δεν είναι μεγάλος, επομένως η ικανότητα ενίσχυσης είναι κακή.
Εφέ μεταγωγής του MOSFET
Το MOSFET που χρησιμοποιείται ως ηλεκτρονικός διακόπτης, επειδή βασίζεται μόνο στην αγωγιμότητα του πολυονίου, δεν υπάρχει τέτοια τριάδα BJT λόγω του ρεύματος βάσης και του εφέ αποθήκευσης φόρτισης, επομένως η ταχύτητα μεταγωγής του MOSFET είναι μεγαλύτερη από την τρίοδο, ως σωλήνας μεταγωγής χρησιμοποιείται συχνά για περιπτώσεις υψηλής συχνότητας υψηλού ρεύματος, όπως εναλλαγή τροφοδοτικών που χρησιμοποιούνται στο MOSFET στην κατάσταση υψηλής συχνότητας υψηλής συχνότητας της εργασίας. Σε σύγκριση με τους διακόπτες τριόδου BJT, οι διακόπτες MOSFET μπορούν να λειτουργήσουν σε μικρότερες τάσεις και ρεύματα και είναι ευκολότερο να ενσωματωθούν σε γκοφρέτες πυριτίου, επομένως χρησιμοποιούνται ευρέως σε ολοκληρωμένα κυκλώματα μεγάλης κλίμακας.
Ποιες είναι οι προφυλάξεις κατά τη χρήσηMOSFET?
Τα MOSFET είναι πιο ευαίσθητα από τα τρίοδα και μπορούν εύκολα να καταστραφούν από ακατάλληλη χρήση, επομένως πρέπει να δίνεται ιδιαίτερη προσοχή κατά τη χρήση τους.
(1) Είναι απαραίτητο να επιλέξετε τον κατάλληλο τύπο MOSFET για διαφορετικές περιπτώσεις χρήσης.
(2) Τα MOSFET, ειδικά τα MOSFET με μόνωση πύλης, έχουν υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου και θα πρέπει να βραχυκυκλώνονται σε κάθε ηλεκτρόδιο όταν δεν χρησιμοποιούνται για να αποφευχθεί η ζημιά στον σωλήνα λόγω φορτίου επαγωγής πύλης.
(3) Η τάση της πηγής πύλης των MOSFET σύνδεσης δεν μπορεί να αντιστραφεί, αλλά μπορεί να αποθηκευτεί σε κατάσταση ανοιχτού κυκλώματος.
(4) Προκειμένου να διατηρηθεί η υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου του MOSFET, ο σωλήνας πρέπει να προστατεύεται από την υγρασία και να διατηρείται στεγνός στο περιβάλλον χρήσης.
(5) Τα φορτισμένα αντικείμενα (όπως συγκολλητικό σίδερο, όργανα δοκιμής κ.λπ.) που έρχονται σε επαφή με το MOSFET πρέπει να γειωθούν για να αποφευχθεί η ζημιά στον σωλήνα. Ειδικά κατά τη συγκόλληση MOSFET μονωμένης πύλης, σύμφωνα με τη διαδοχική σειρά συγκόλλησης πηγής - πύλης, είναι καλύτερο να συγκολληθεί μετά την απενεργοποίηση. Η ισχύς του συγκολλητικού σιδήρου στα 15 ~ 30 W είναι κατάλληλη, ο χρόνος συγκόλλησης δεν πρέπει να υπερβαίνει τα 10 δευτερόλεπτα.
(6) Η μονωμένη πύλη MOSFET δεν μπορεί να δοκιμαστεί με πολύμετρο, μπορεί να δοκιμαστεί μόνο με ελεγκτή και μόνο μετά την πρόσβαση στον ελεγκτή για την αφαίρεση της καλωδίωσης βραχυκυκλώματος των ηλεκτροδίων. Όταν αφαιρεθεί, είναι απαραίτητο να βραχυκυκλώσετε τα ηλεκτρόδια πριν την αφαίρεση για να αποφύγετε την προεξοχή της πύλης.
(7) Κατά τη χρήσηMOSFETμε καλώδια υποστρώματος, τα καλώδια υποστρώματος πρέπει να είναι σωστά συνδεδεμένα.
Ώρα δημοσίευσης: Απρ-23-2024
