Ποιες είναι οι τέσσερις περιοχές ενός MOSFET;

 

Οι τέσσερις περιοχές ενός MOSFET βελτίωσης καναλιών N

(1) Περιοχή μεταβλητής αντίστασης (ονομάζεται επίσης ακόρεστη περιοχή)

Ucs" Ucs (th) (τάση ενεργοποίησης), uDs" UGs-Ucs (th), είναι η περιοχή στα αριστερά του προ-σφιγκωμένου ίχνους στο σχήμα όπου είναι ενεργοποιημένο το κανάλι. Η τιμή των UD είναι μικρή σε αυτήν την περιοχή και η αντίσταση καναλιού ελέγχεται βασικά μόνο από UG. Όταν τα uG είναι βέβαια, τα ip και uD σε μια γραμμική σχέση, η περιοχή προσεγγίζεται ως ένα σύνολο ευθειών γραμμών. Αυτή τη στιγμή, ο σωλήνας επίδρασης πεδίου D, S μεταξύ του ισοδύναμου μιας τάσης UGS

Ελέγχεται από τη μεταβλητή αντίσταση τάσης UGS.

(2) περιοχή σταθερού ρεύματος (επίσης γνωστή ως περιοχή κορεσμού, περιοχή ενίσχυσης, ενεργή περιοχή)

Ucs ≥ Ucs (h) και Ubs ≥ UcsUssth), για το σχήμα της δεξιάς πλευράς του προ-τσιμπήματος εκτός τροχιάς, αλλά δεν έχει ακόμη αναλυθεί στην περιοχή, στην περιοχή, όταν τα uGs πρέπει να είναι, ib σχεδόν όχι αλλαγή με τα UD, είναι χαρακτηριστικά σταθερού ρεύματος. Το i ελέγχεται μόνο από τα UG, τότε το MOSFETD, S είναι ισοδύναμο με έναν έλεγχο τάσης uGs της πηγής ρεύματος. Το MOSFET χρησιμοποιείται σε κυκλώματα ενίσχυσης, γενικά στο έργο του MOSFET D, το S είναι ισοδύναμο με μια πηγή ρεύματος ελέγχου τάσης uG. Το MOSFET που χρησιμοποιείται σε κυκλώματα ενίσχυσης, γενικά λειτουργεί στην περιοχή, γνωστή και ως περιοχή ενίσχυσης.

(3) Περιοχή αποκοπής (ονομάζεται επίσης περιοχή αποκοπής)

Περιοχή αποκοπής (επίσης γνωστή ως περιοχή αποκοπής) για να καλύψει το ucs "Ues (th) για το σχήμα κοντά στον οριζόντιο άξονα της περιοχής, το κανάλι είναι όλο συσφιγμένο, γνωστό ως πλήρης αποκοπή, io = 0 , ο σωλήνας δεν λειτουργεί.

(4) θέση ζώνης ανάλυσης

Η περιοχή ανάλυσης βρίσκεται στην περιοχή στη δεξιά πλευρά του σχήματος. Με τα αυξανόμενα UD, η διασταύρωση PN υπόκειται σε υπερβολική αντίστροφη τάση και διακοπή, η ip αυξάνεται απότομα. Ο σωλήνας πρέπει να λειτουργεί έτσι ώστε να αποφεύγεται η λειτουργία στην περιοχή βλάβης. Η χαρακτηριστική καμπύλη μεταφοράς μπορεί να προκύψει από τη χαρακτηριστική καμπύλη εξόδου. Σχετικά με τη μέθοδο που χρησιμοποιείται ως γράφημα για την εύρεση. Για παράδειγμα, στο σχήμα 3 (α) για την κατακόρυφη γραμμή Ubs = 6V, η τομή της με τις διάφορες καμπύλες που αντιστοιχούν στις τιμές i, Us στις συντεταγμένες ib-Uss που συνδέονται με την καμπύλη, δηλαδή για να ληφθεί η χαρακτηριστική καμπύλη μεταφοράς.

Παράμετροι τουMOSFET

Υπάρχουν πολλές παράμετροι του MOSFET, συμπεριλαμβανομένων των παραμέτρων DC, των παραμέτρων εναλλασσόμενου ρεύματος και των παραμέτρων ορίου, αλλά μόνο οι ακόλουθες κύριες παράμετροι πρέπει να ληφθούν υπόψη σε κοινή χρήση: ρεύμα κορεσμένου ρεύματος πηγής αποστράγγισης IDSS τάση απενεργοποίησης επάνω, (σωλήνες τύπου διασταύρωσης και εξάντληση -τύπου μονωμένων σωλήνων πύλης ή τάσης ενεργοποίησης UT (ενισχυμένοι σωλήνες με μόνωση πύλης), trans-conductance gm, BUDS τάσης διάσπασης πηγής διαρροής, μέγιστη ισχύς διαρροής PDSM και μέγιστο ρεύμα πηγής αποστράγγισης IDSM.

(1) Κορεσμένο ρεύμα αποστράγγισης

Το κορεσμένο ρεύμα αποστράγγισης IDSS είναι το ρεύμα αποστράγγισης σε μια μονωμένη πύλη MOSFET τύπου διασταύρωσης ή εξάντλησης όταν η τάση πύλης UGS = 0.

(2) Τάση αποκοπής

Το pinch-off τάση UP είναι η τάση πύλης σε ένα MOSFET με μόνωση πύλης τύπου διασταύρωσης ή εξάντλησης που απλώς κόβει μεταξύ της αποστράγγισης και της πηγής. Όπως φαίνεται στα 4-25 για τον σωλήνα N-καναλιού UGS μια καμπύλη ID, μπορεί να γίνει κατανοητό για να δούμε τη σημασία των IDSS και UP

MOSFET τέσσερις περιοχές

(3) Τάση ενεργοποίησης

Η τάση ενεργοποίησης UT είναι η τάση πύλης σε ένα ενισχυμένο MOSFET με μόνωση πύλης που κάνει την πηγή μεταξύ αποστράγγισης απλώς αγώγιμη.

(4) Διααγωγιμότητα

Η διαγωγιμότητα gm είναι η ικανότητα ελέγχου της τάσης της πηγής πύλης UGS στο αναγνωριστικό ρεύματος αποστράγγισης, δηλαδή, ο λόγος της αλλαγής στο ID ρεύματος αποστράγγισης προς τη μεταβολή στην τάση UGS της πηγής πύλης. Τα 9m είναι μια σημαντική παράμετρος που ζυγίζει την ικανότητα ενίσχυσης τουMOSFET.

(5) Τάση διάσπασης της πηγής αποστράγγισης

Η τάση διάσπασης της πηγής αποστράγγισης BUDS αναφέρεται στην τάση πηγής πύλης UGS, η κανονική λειτουργία του MOSFET μπορεί να δεχτεί τη μέγιστη τάση της πηγής αποστράγγισης. Αυτή είναι μια οριακή παράμετρος, που προστίθεται στο MOSFET η τάση λειτουργίας πρέπει να είναι μικρότερη από BUDS.

(6) Μέγιστη απαγωγή ισχύος

Μέγιστη απαγωγή ισχύος PDSM είναι επίσης μια παράμετρος ορίου, αναφέρεται στοMOSFETη απόδοση δεν επιδεινώνεται όταν η μέγιστη επιτρεπτή διαρροή ισχύος πηγής διαρροής. Όταν χρησιμοποιείτε το MOSFET, η πρακτική κατανάλωση ενέργειας πρέπει να είναι μικρότερη από το PDSM και να αφήνει ένα ορισμένο περιθώριο.

(7) Μέγιστο ρεύμα αποστράγγισης

Το μέγιστο ρεύμα διαρροής Το IDSM είναι μια άλλη οριακή παράμετρος, αναφέρεται στην κανονική λειτουργία του MOSFET, η πηγή διαρροής του μέγιστου ρεύματος που επιτρέπεται να περάσει από το ρεύμα λειτουργίας του MOSFET δεν πρέπει να υπερβαίνει το IDSM.

Αρχή λειτουργίας MOSFET

Η αρχή λειτουργίας του MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) είναι η χρήση VGS για τον έλεγχο της ποσότητας του "επαγωγικού φορτίου", προκειμένου να αλλάξει η κατάσταση του αγώγιμου καναλιού που σχηματίζεται από αυτά τα "επαγωγικά φορτία" και στη συνέχεια να επιτευχθεί ο σκοπός του ελέγχου του ρεύματος αποστράγγισης. Ο σκοπός είναι ο έλεγχος του ρεύματος αποστράγγισης. Στην κατασκευή σωλήνων, μέσω της διαδικασίας δημιουργίας μεγάλου αριθμού θετικών ιόντων στο μονωτικό στρώμα, έτσι ώστε στην άλλη πλευρά της διεπαφής μπορούν να προκληθούν περισσότερα αρνητικά φορτία, αυτά τα αρνητικά φορτία μπορούν να προκληθούν.

Όταν αλλάζει η τάση πύλης, αλλάζει και η ποσότητα φόρτισης που προκαλείται στο κανάλι, αλλάζει και το πλάτος του αγώγιμου καναλιού, και έτσι το ID ρεύματος αποστράγγισης αλλάζει με την τάση πύλης.

Ρόλος MOSFET

I. Το MOSFET μπορεί να εφαρμοστεί στην ενίσχυση. Λόγω της υψηλής σύνθετης αντίστασης εισόδου του ενισχυτή MOSFET, ο πυκνωτής σύζευξης μπορεί να έχει μικρότερη χωρητικότητα, χωρίς τη χρήση ηλεκτρολυτικών πυκνωτών.

Δεύτερον, η υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου του MOSFET είναι πολύ κατάλληλη για μετατροπή σύνθετης αντίστασης. Χρησιμοποιείται συνήθως στη βαθμίδα εισόδου ενισχυτή πολλαπλών σταδίων για μετατροπή σύνθετης αντίστασης.

Το MOSFET μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως μεταβλητή αντίσταση.

Τέταρτον, το MOSFET μπορεί εύκολα να χρησιμοποιηθεί ως πηγή σταθερού ρεύματος.

Πέμπτον, το MOSFET μπορεί να χρησιμοποιηθεί ως ηλεκτρονικός διακόπτης.