Το MOSFET του μετατροπέα λειτουργεί σε κατάσταση μεταγωγής και το ρεύμα που διαρρέει το MOSFET είναι πολύ υψηλό. Εάν το MOSFET δεν έχει επιλεγεί σωστά, το πλάτος της τάσης οδήγησης δεν είναι αρκετά μεγάλο ή η απαγωγή θερμότητας του κυκλώματος δεν είναι καλή, μπορεί να προκαλέσει θέρμανση του MOSFET.
1, η θέρμανση του μετατροπέα MOSFET είναι σοβαρή, θα πρέπει να δώσουν προσοχή στοMOSFETεπιλογή
Το MOSFET στον μετατροπέα στην κατάσταση μεταγωγής, γενικά απαιτεί το ρεύμα αποστράγγισης του όσο το δυνατόν μεγαλύτερο, την αντίσταση ενεργοποίησης όσο το δυνατόν μικρότερη, έτσι ώστε να μπορείτε να μειώσετε την πτώση τάσης κορεσμού του MOSFET, μειώνοντας έτσι το MOSFET αφού η κατανάλωση, μειώσει την θερμότητα.
Ελέγξτε το εγχειρίδιο του MOSFET, θα διαπιστώσουμε ότι όσο υψηλότερη είναι η τιμή της τάσης αντοχής του MOSFET, τόσο μεγαλύτερη είναι η αντίστασή του και όσοι έχουν υψηλό ρεύμα αποστράγγισης, χαμηλή τιμή τάσης αντοχής του MOSFET, η αντίστασή του είναι γενικά κάτω από δεκάδες milliohms.
Υποθέτοντας ότι το ρεύμα φορτίου 5Α, επιλέγουμε τον μετατροπέα που χρησιμοποιείται συνήθως MOSFETRU75N08R και αντέχουμε την τιμή τάσης 500V 840 μπορεί να είναι, το ρεύμα αποστράγγισης είναι σε 5Α ή περισσότερο, αλλά η αντίσταση ενεργοποίησης των δύο MOSFET είναι διαφορετική, οδηγούν το ίδιο ρεύμα , η διαφορά θερμότητας τους είναι πολύ μεγάλη. Η αντίσταση on-sistance 75N08R είναι μόνο 0,008Ω, ενώ η on-resistance του 840 Η on-resistance του 75N08R είναι μόνο 0,008Ω, ενώ η on-resistance του 840 είναι 0,85Ω. Όταν το ρεύμα φορτίου που διαρρέει το MOSFET είναι 5Α, η πτώση τάσης του MOSFET του 75N08R είναι μόνο 0,04V και η κατανάλωση MOSFET του MOSFET είναι μόνο 0,2W, ενώ η πτώση τάσης του MOSFET του 840 μπορεί να είναι έως και 4,25W, του MOSFET είναι τόσο υψηλό όσο 21,25 W. Από αυτό, μπορεί να φανεί ότι η on-resistance του MOSFET είναι διαφορετική από την on-resistance του 75N08R και η παραγωγή θερμότητας είναι πολύ διαφορετική. Όσο μικρότερη είναι η αντίσταση του MOSFET, τόσο το καλύτερο, η αντίσταση του MOSFET, ο σωλήνας MOSFET υπό υψηλή κατανάλωση ρεύματος είναι αρκετά μεγάλος.
2, το κύκλωμα οδήγησης του πλάτους τάσης οδήγησης δεν είναι αρκετά μεγάλο
Το MOSFET είναι μια συσκευή ελέγχου τάσης, εάν θέλετε να μειώσετε την κατανάλωση σωλήνα MOSFET, να μειώσετε τη θερμότητα, το πλάτος τάσης κίνησης της πύλης MOSFET πρέπει να είναι αρκετά μεγάλο, το άκρο του παλμού κίνησης σε απότομη, μπορεί να μειώσει τηνMOSFETπτώση τάσης σωλήνα, μείωση της κατανάλωσης σωλήνα MOSFET.
3, η διάχυση θερμότητας MOSFET δεν είναι καλή αιτία
Η θέρμανση με μετατροπέα MOSFET είναι σοβαρή. Καθώς η κατανάλωση σωλήνων MOSFET του μετατροπέα είναι μεγάλη, η εργασία απαιτεί γενικά μια αρκετά μεγάλη εξωτερική επιφάνεια της ψύκτρας και η εξωτερική ψύκτρα και το ίδιο το MOSFET μεταξύ της ψύκτρας θα πρέπει να βρίσκονται σε στενή επαφή (γενικά απαιτείται να επικαλύπτεται με θερμικά αγώγιμο γράσο σιλικόνης), εάν η εξωτερική ψύκτρα είναι μικρότερη ή με το ίδιο το MOSFET δεν είναι αρκετά κοντά στην επαφή της ψύκτρας, μπορεί να οδηγήσει σε θέρμανση MOSFET.
Η θέρμανση του μετατροπέα MOSFET είναι σοβαρή, υπάρχουν τέσσερις λόγοι για την περίληψη.
Η ελαφριά θέρμανση του MOSFET είναι ένα φυσιολογικό φαινόμενο, αλλά η θέρμανση είναι σοβαρή, ακόμη και να οδηγήσει σε καύση του MOSFET, υπάρχουν οι εξής τέσσερις λόγοι:
1, το πρόβλημα του σχεδιασμού κυκλώματος
Αφήστε το MOSFET να λειτουργεί σε γραμμική κατάσταση λειτουργίας και όχι σε κατάσταση κυκλώματος μεταγωγής. Είναι επίσης μια από τις αιτίες της θέρμανσης MOSFET. Εάν το N-MOS κάνει τη μεταγωγή, η τάση επιπέδου G πρέπει να είναι μερικά V υψηλότερη από την παροχή ρεύματος για να είναι πλήρως ενεργοποιημένη, ενώ το P-MOS είναι το αντίθετο. Δεν είναι πλήρως ανοιχτό και η πτώση τάσης είναι πολύ μεγάλη με αποτέλεσμα την κατανάλωση ενέργειας, η ισοδύναμη σύνθετη αντίσταση συνεχούς ρεύματος είναι μεγαλύτερη, η πτώση τάσης αυξάνεται, επομένως το U * I αυξάνεται επίσης, η απώλεια σημαίνει θερμότητα. Αυτό είναι το σφάλμα που αποφεύχθηκε περισσότερο στη σχεδίαση του κυκλώματος.
2, πολύ υψηλή συχνότητα
Ο κύριος λόγος είναι ότι μερικές φορές η υπερβολική αναζήτηση όγκου, με αποτέλεσμα την αυξημένη συχνότητα,MOSFETαπώλειες στο μεγάλο, οπότε η θερμότητα είναι επίσης αυξημένη.
3, όχι αρκετός θερμικός σχεδιασμός
Εάν το ρεύμα είναι πολύ υψηλό, η ονομαστική τιμή ρεύματος του MOSFET, συνήθως απαιτεί καλή απαγωγή θερμότητας για να επιτευχθεί. Έτσι το ID είναι μικρότερο από το μέγιστο ρεύμα, μπορεί επίσης να θερμανθεί άσχημα, να χρειαστεί αρκετή βοηθητική ψύκτρα.
4, η επιλογή MOSFET είναι λάθος
Λανθασμένη εκτίμηση ισχύος, η εσωτερική αντίσταση του MOSFET δεν λαμβάνεται πλήρως υπόψη, με αποτέλεσμα την αυξημένη αντίσταση μεταγωγής.
Ώρα δημοσίευσης: Απρ-19-2024
