Ως μία από τις πιο βασικές συσκευές στον τομέα των ημιαγωγών, τα MOSFET χρησιμοποιούνται ευρέως τόσο στο σχεδιασμό IC όσο και στα κυκλώματα σε επίπεδο πλακέτας. Επί του παρόντος, ειδικά στον τομέα των ημιαγωγών υψηλής ισχύος, μια ποικιλία διαφορετικών δομών των MOSFET διαδραματίζουν επίσης αναντικατάστατο ρόλο. ΓιαMOSFET, η δομή του οποίου μπορούμε να πούμε ότι είναι ένα σύνολο απλών και σύνθετων σε ένα, το απλό είναι απλό στη δομή του, το σύνθετο βασίζεται στην εφαρμογή της σε βάθος εξέτασης του. Στην καθημερινότητα,MOSFET θερμότητα θεωρείται επίσης μια πολύ κοινή κατάσταση, το κλειδί που πρέπει να γνωρίζουμε τους λόγους από πού, και ποιες μέθοδοι μπορούν να λυθούν; Στη συνέχεια, ας συνεννοηθούμε για να καταλάβουμε.
I. Αιτίες τηςMOSFET θέρμανση
1, το πρόβλημα του σχεδιασμού κυκλώματος. Είναι να αφήσουμε το MOSFET να λειτουργεί σε κατάσταση σύνδεσης, όχι σε κατάσταση μεταγωγής. Αυτός είναι ένας από τους λόγους για τους οποίους το MOSFET ζεσταίνεται. Εάν το N-MOS κάνει τη μεταγωγή, η τάση επιπέδου G πρέπει να είναι μερικά V υψηλότερη από την παροχή ρεύματος για να είναι πλήρως ενεργοποιημένη, και το αντίθετο ισχύει για το P-MOS. Δεν είναι πλήρως ανοιχτό και η πτώση τάσης είναι πολύ μεγάλη με αποτέλεσμα την κατανάλωση ενέργειας, η ισοδύναμη σύνθετη αντίσταση DC είναι σχετικά μεγάλη, η πτώση τάσης αυξάνεται, επομένως αυξάνεται και το U * I, η απώλεια σημαίνει θερμότητα.
2, η συχνότητα είναι πολύ υψηλή. Κυρίως μερικές φορές πάρα πολύ για τον όγκο, με αποτέλεσμα αυξημένη συχνότητα, απώλειες MOSFET σε αύξηση, γεγονός που οδηγεί επίσης σε θέρμανση MOSFET.
3, το ρεύμα είναι πολύ υψηλό. Όταν το ID είναι μικρότερο από το μέγιστο ρεύμα, θα προκαλέσει επίσης τη θέρμανση του MOSFET.
4, η επιλογή του μοντέλου MOSFET είναι λάθος. Η εσωτερική αντίσταση του MOSFET δεν λαμβάνεται πλήρως υπόψη, με αποτέλεσμα την αυξημένη αντίσταση μεταγωγής.二
Η λύση για την έντονη παραγωγή θερμότητας του MOSFET
1, Κάντε καλή δουλειά στον σχεδιασμό της ψύκτρας του MOSFET.
2, Προσθέστε αρκετές βοηθητικές ψύκτρες.
3, Επικολλήστε την κόλλα της ψύκτρας.
Ώρα δημοσίευσης: 19 Μαΐου 2024
