Τρανζίστορ εφέ πεδίου με συντομογραφίαMOSFET.Υπάρχουν δύο κύριοι τύποι: οι σωλήνες εφέ πεδίου διασταύρωσης και οι σωλήνες εφέ πεδίου ημιαγωγών μετάλλου-οξειδίου. Το MOSFET είναι επίσης γνωστό ως μονοπολικό τρανζίστορ με την πλειοψηφία των φορέων να εμπλέκονται στην αγωγιμότητα. Είναι συσκευές ημιαγωγών ελεγχόμενης τάσης. Λόγω της υψηλής αντίστασης εισόδου, του χαμηλού θορύβου, της χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας και άλλων χαρακτηριστικών, το καθιστά ισχυρό ανταγωνιστή των διπολικών τρανζίστορ και των τρανζίστορ ισχύος.
I. Βασικές παράμετροι του MOSFET
1, παράμετροι DC
Το ρεύμα αποστράγγισης κορεσμού μπορεί να οριστεί ως το ρεύμα αποστράγγισης που αντιστοιχεί στο πότε η τάση μεταξύ πύλης και πηγής είναι ίση με μηδέν και η τάση μεταξύ αποστράγγισης και πηγής είναι μεγαλύτερη από την τάση αποσύνδεσης.
Τάση απενεργοποίησης UP: Το UGS που απαιτείται για τη μείωση του ID σε ένα μικρό ρεύμα όταν το UDS είναι βέβαιο.
Τάση ενεργοποίησης UT: Το UGS απαιτείται για να φέρει το αναγνωριστικό σε μια συγκεκριμένη τιμή όταν το UDS είναι βέβαιο.
2, Παράμετροι AC
Διαγωγιμότητα χαμηλής συχνότητας gm : Περιγράφει την επίδραση ελέγχου της τάσης πύλης και πηγής στο ρεύμα αποστράγγισης.
Διαπολική χωρητικότητα: η χωρητικότητα μεταξύ των τριών ηλεκτροδίων του MOSFET, όσο μικρότερη είναι η τιμή, τόσο καλύτερη είναι η απόδοση.
3, Όριο παραμέτρων
Τάση διακοπής αποστράγγισης, πηγής: όταν το ρεύμα αποστράγγισης αυξάνεται απότομα, θα προκαλέσει βλάβη χιονοστιβάδας όταν το UDS.
Τάση διάσπασης πύλης: σωλήνας επίδρασης πεδίου διασταύρωσης κανονική λειτουργία, πύλη και πηγή μεταξύ της διασταύρωσης PN στην κατάσταση αντίστροφης πόλωσης, το ρεύμα είναι πολύ μεγάλο για να προκαλέσει βλάβη.
II. Χαρακτηριστικά τουMOSFET
Το MOSFET έχει λειτουργία ενίσχυσης και μπορεί να σχηματίσει ένα ενισχυμένο κύκλωμα. Σε σύγκριση με ένα τρίοδο, έχει τα ακόλουθα χαρακτηριστικά.
(1) Το MOSFET είναι μια συσκευή ελεγχόμενης τάσης και το δυναμικό ελέγχεται από το UGS.
(2) Το ρεύμα στην είσοδο του MOSFET είναι εξαιρετικά μικρό, επομένως η αντίσταση εισόδου του είναι πολύ υψηλή.
(3) Η σταθερότητα της θερμοκρασίας του είναι καλή επειδή χρησιμοποιεί πλειοψηφικούς φορείς για αγωγιμότητα.
(4) Ο συντελεστής ενίσχυσης τάσης του κυκλώματος ενίσχυσης του είναι μικρότερος από αυτόν ενός τριόδου.
(5) Είναι πιο ανθεκτικό στην ακτινοβολία.
Τρίτος,MOSFET και σύγκριση τρανζίστορ
(1) Η πηγή MOSFET, η πύλη, η αποστράγγιση και η πηγή τριόδου, η βάση, ο πόλος του σημείου ρύθμισης αντιστοιχεί στον ρόλο του παρόμοιου.
(2) Το MOSFET είναι μια συσκευή ρεύματος ελεγχόμενης τάσης, ο συντελεστής ενίσχυσης είναι μικρός, η ικανότητα ενίσχυσης είναι κακή. Το triode είναι μια συσκευή τάσης ελεγχόμενη από ρεύμα, η ικανότητα ενίσχυσης είναι ισχυρή.
(3) Η πύλη MOSFET βασικά δεν παίρνει ρεύμα. και τριοδική εργασία, η βάση θα απορροφήσει ένα ορισμένο ρεύμα. Επομένως, η αντίσταση εισόδου της πύλης MOSFET είναι υψηλότερη από την αντίσταση εισόδου τριόδου.
(4) Η αγώγιμη διεργασία του MOSFET έχει τη συμμετοχή του πολύτρον, και η τρίοδος έχει τη συμμετοχή δύο ειδών φορέων, του πολύτρον και του ολιγοτρονίου, και η συγκέντρωσή του σε ολιγοτόνιο επηρεάζεται σε μεγάλο βαθμό από τη θερμοκρασία, την ακτινοβολία και άλλους παράγοντες, επομένως, το MOSFET έχει καλύτερη σταθερότητα θερμοκρασίας και αντοχή στην ακτινοβολία από το τρανζίστορ. Το MOSFET πρέπει να επιλέγεται όταν οι περιβαλλοντικές συνθήκες αλλάζουν πολύ.
(5) Όταν το MOSFET συνδέεται με το μέταλλο πηγής και το υπόστρωμα, η πηγή και η αποστράγγιση μπορούν να ανταλλάσσονται και τα χαρακτηριστικά δεν αλλάζουν πολύ, ενώ όταν ανταλλάσσονται ο συλλέκτης και ο πομπός του τρανζίστορ, τα χαρακτηριστικά είναι διαφορετικά και η τιμή β μειώνεται.
(6) Ο αριθμός θορύβου του MOSFET είναι μικρός.
(7) Το MOSFET και το τρίοδο μπορούν να αποτελούνται από μια ποικιλία κυκλωμάτων ενισχυτών και κυκλωμάτων μεταγωγής, αλλά το πρώτο καταναλώνει λιγότερη ισχύ, υψηλή θερμική σταθερότητα, μεγάλο εύρος τάσης τροφοδοσίας, επομένως χρησιμοποιείται ευρέως σε μεγάλης κλίμακας και εξαιρετικά μεγάλης κλίμακας κλίμακας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων.
(8) Η αντίσταση ενεργοποίησης του τριόδου είναι μεγάλη και η αντίσταση ενεργοποίησης του MOSFET είναι μικρή, επομένως τα MOSFET χρησιμοποιούνται γενικά ως διακόπτες με υψηλότερη απόδοση.
Ώρα δημοσίευσης: 16 Μαΐου 2024
