Τα MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) θεωρούνται συχνά ως πλήρως ελεγχόμενες συσκευές. Αυτό συμβαίνει επειδή η κατάσταση λειτουργίας (ενεργοποίηση ή απενεργοποίηση) του MOSFET ελέγχεται πλήρως από την τάση πύλης (Vgs) και δεν εξαρτάται από το ρεύμα βάσης όπως στην περίπτωση ενός διπολικού τρανζίστορ (BJT).
Σε ένα MOSFET, η τάση πύλης Vgs καθορίζει εάν σχηματίζεται ένα αγώγιμο κανάλι μεταξύ της πηγής και της αποστράγγισης, καθώς και το πλάτος και την αγωγιμότητα του αγώγιμου καναλιού. Όταν το Vgs υπερβαίνει την οριακή τάση Vt, σχηματίζεται το αγώγιμο κανάλι και το MOSFET εισέρχεται στην κατάσταση ενεργοποίησης. όταν το Vgs πέσει κάτω από το Vt, το αγώγιμο κανάλι εξαφανίζεται και το MOSFET βρίσκεται σε κατάσταση αποκοπής. Αυτός ο έλεγχος ελέγχεται πλήρως επειδή η τάση πύλης μπορεί ανεξάρτητα και με ακρίβεια να ελέγχει την κατάσταση λειτουργίας του MOSFET χωρίς να βασίζεται σε άλλες παραμέτρους ρεύματος ή τάσης.
Αντίθετα, η κατάσταση λειτουργίας των ημιελεγχόμενων συσκευών (π.χ. θυρίστορ) δεν επηρεάζεται μόνο από την τάση ή το ρεύμα ελέγχου, αλλά και από άλλους παράγοντες (π.χ. τάση ανόδου, ρεύμα κ.λπ.). Ως αποτέλεσμα, οι πλήρως ελεγχόμενες συσκευές (π.χ. MOSFET) προσφέρουν συνήθως καλύτερες επιδόσεις όσον αφορά την ακρίβεια και την ευελιξία ελέγχου.
Συνοπτικά, τα MOSFET είναι πλήρως ελεγχόμενες συσκευές των οποίων η κατάσταση λειτουργίας ελέγχεται πλήρως από την τάση πύλης και έχουν τα πλεονεκτήματα της υψηλής ακρίβειας, της υψηλής ευελιξίας και της χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας.
Ώρα δημοσίευσης: Σεπ-20-2024
