Στο πρόγραμμα σχεδίασης του διακόπτη τροφοδοσίας και άλλων συστημάτων τροφοδοσίας, οι σχεδιαστές προγραμμάτων θα δώσουν μεγαλύτερη προσοχή σε ορισμένες κύριες παραμέτρους τουMOSFET, όπως αντίσταση on-off, μεγαλύτερη τάση λειτουργίας, μεγαλύτερη ροή ισχύος. Αν και αυτό το στοιχείο είναικρίσιμος, λαμβάνοντας υπόψη την ακατάλληλη θέση θα κάνει το κύκλωμα τροφοδοσίας να μην μπορεί να λειτουργήσει σωστά, αλλά στην πραγματικότητα, αυτό ολοκληρώνεται μόνο το πρώτο βήμα,τα MOSFET Οι δικές τους παρασιτικές παράμετροι θεωρείται ότι είναι το σημαντικό πράγμα για να τεθεί σε κίνδυνο το κύκλωμα τροφοδοσίας.
Άμεση οδήγηση MOSFET με IC τροφοδοσίας
Ένα καλό κύκλωμα οδήγησης MOSFET έχει τις ακόλουθες διατάξεις:
(1) Τη στιγμή που ενεργοποιείται ο διακόπτης, το κύκλωμα του οδηγού θα πρέπει να μπορεί να εξάγει ένα πολύ μεγάλο ρεύμα, έτσι ώστε η τάση λειτουργίας μεταξύ πόλων της πύλης MOSFET να αυξάνεται γρήγορα στην απαιτούμενη τιμή, για να διασφαλιστεί ότι ο διακόπτης μπορεί να περιστραφεί ενεργοποιείται γρήγορα και δεν θα υπάρχουν ταλαντώσεις υψηλής συχνότητας στην ανερχόμενη άκρη.
(2) περίοδος ενεργοποίησης και απενεργοποίησης διακόπτη, το κύκλωμα μετάδοσης κίνησης μπορεί να διασφαλίσει ότι η ενδοπολική τάση λειτουργίας της πηγής πύλης MOSFET διατηρείται για μεγάλο χρονικό διάστημα και αποτελεσματική αγωγιμότητα.
(3) Κλείστε μια στιγμή του κυκλώματος κίνησης, μπορεί να παρέχει ένα κανάλι χαμηλής σύνθετης αντίστασης για την τάση λειτουργίας της χωρητικότητας της πηγής πύλης MOSFET μεταξύ της ταχείας αποστράγγισης, για να διασφαλίσετε ότι ο διακόπτης μπορεί να απενεργοποιηθεί γρήγορα.
(4) Απλή και αξιόπιστη κατασκευή κυκλωμάτων μετάδοσης κίνησης με χαμηλή φθορά.
(5) Σύμφωνα με τη συγκεκριμένη κατάσταση για την εκτέλεση προστασίας.
Στο τροφοδοτικό της μονάδας ελέγχου, το πιο συνηθισμένο είναι το IC τροφοδοσίας απευθείας μετάδοσης MOSFET. εφαρμογή, θα πρέπει να δώσουν προσοχή στη μεγαλύτερη μονάδα δίσκου την υψηλότερη τιμή της ροής ισχύος, MOSFET χωρητικότητα διανομής 2 κύριες παραμέτρους. Η ικανότητα κίνησης IC ισχύος, το μέγεθος της χωρητικότητας διανομής MOS, η τιμή αντίστασης της αντίστασης κίνησης θα θέσουν σε κίνδυνο τον ρυθμό εναλλαγής ισχύος MOSFET. Εάν η επιλογή της χωρητικότητας διανομής MOSFET είναι σχετικά μεγάλη, η δυνατότητα εσωτερικής μονάδας IC τροφοδοσίας δεν είναι αρκετή, πρέπει να βρίσκεται στο κύκλωμα μετάδοσης κίνησης για να βελτιωθεί η ικανότητα μετάδοσης κίνησης. .
Ώρα δημοσίευσης: 25 Ιουλίου 2024
