Στις μέρες μας, με την ταχεία ανάπτυξη της επιστήμης και της τεχνολογίας, οι ημιαγωγοί χρησιμοποιούνται σε όλο και περισσότερες βιομηχανίες, στις οποίες ηMOSFET θεωρείται επίσης μια πολύ κοινή συσκευή ημιαγωγών, το επόμενο βήμα είναι να κατανοήσουμε ποια είναι η διαφορά μεταξύ των χαρακτηριστικών του διπολικού τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος και του MOSFET ισχύος εξόδου.
1, ο τρόπος εργασίας
MOSFET είναι το έργο που απαιτείται για την προώθηση της τάσης λειτουργίας, τα διαγράμματα κυκλώματος εξηγούν σχετικά απλή, την προώθηση της ισχύος των μικρών? Τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος είναι μια ροή ισχύος για την προώθηση του σχεδιασμού του προγράμματος είναι πιο περίπλοκη, για την προώθηση της προδιαγραφής της επιλογής του δύσκολου να προωθήσει την προδιαγραφή θα θέσει σε κίνδυνο τη συνολική ταχύτητα μεταγωγής τροφοδοσίας.
2, η συνολική ταχύτητα μεταγωγής του τροφοδοτικού
Το MOSFET που επηρεάζεται από τη θερμοκρασία είναι μικρό, η ισχύς εξόδου μεταγωγής τροφοδοσίας μπορεί να εξασφαλίσει ότι περισσότερα από 150KHz? Το τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος έχει πολύ λίγο όριο χρόνου αποθήκευσης δωρεάν φόρτισης, η ταχύτητα μεταγωγής του τροφοδοτικού του, αλλά η ισχύς εξόδου του δεν είναι γενικά μεγαλύτερη από 50 KHz.
3, Ασφαλής χώρος εργασίας
Power MOSFET δεν έχει δευτερεύουσα βάση και ο ασφαλής χώρος εργασίας είναι ευρύς. Το τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος έχει μια κατάσταση δευτερεύουσας βάσης, η οποία περιορίζει την ασφαλή περιοχή εργασίας.
4, Τάση εργασίας απαίτηση ηλεκτρικού αγωγού
ΕξουσίαMOSFET ανήκει στον τύπο υψηλής τάσης, η απαίτηση εργασίας αγωγιμότητας η τάση εργασίας είναι υψηλότερη, υπάρχει θετικός συντελεστής θερμοκρασίας. τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος, ανεξάρτητα από το πόσα χρήματα είναι ανθεκτικά στην απαιτούμενη τάση εργασίας, η τάση εργασίας απαίτησης ηλεκτρικού αγωγού είναι χαμηλότερη και έχει αρνητικό συντελεστή θερμοκρασίας.
5, η μέγιστη ροή ισχύος
Power MOSFET στο κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοτικό κύκλωμα τροφοδοσίας κύκλωμα τροφοδοσίας κύκλωμα ως διακόπτης τροφοδοσίας, σε λειτουργία και σταθερή εργασία στη μέση, η μέγιστη ροή ισχύος είναι χαμηλότερη? και τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος σε λειτουργία και σταθερή εργασία στη μέση, η μέγιστη ροή ισχύος είναι υψηλότερη.
6, Κόστος προϊόντος
Το κόστος ισχύος MOSFET είναι ελαφρώς υψηλότερο. το κόστος του τριοδικού κρυστάλλου ισχύος είναι ελαφρώς χαμηλότερο.
7, Εφέ διείσδυσης
Το Power MOSFET δεν έχει αποτέλεσμα διείσδυσης. Το τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος έχει αποτέλεσμα διείσδυσης.
8, Απώλεια μεταγωγής
Η απώλεια μεταγωγής MOSFET δεν είναι μεγάλη. Η απώλεια εναλλαγής τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος είναι σχετικά μεγάλη.
Επιπλέον, η συντριπτική πλειονότητα της ισχύος MOSFET ενσωματωμένη δίοδος απορρόφησης κραδασμών, ενώ το διπολικό τρανζίστορ κρυστάλλου ισχύος σχεδόν καμία ενσωματωμένη δίοδος απορρόφησης κραδασμών. Η δίοδος απορρόφησης κραδασμών MOSFET μπορεί επίσης να είναι ένας καθολικός μαγνήτης για εναλλαγή κυκλωμάτων τροφοδοσίας πηνίων μαγνήτη για να δώσει τη γωνία συντελεστή ισχύος του καναλιού ασφαλείας ροής ισχύος. Σωλήνας επίδρασης πεδίου στη δίοδο απορρόφησης κραδασμών σε όλη τη διαδικασία απενεργοποίησης με τη γενική δίοδο, καθώς η ύπαρξη αντίστροφης ροής ρεύματος ανάκτησης, αυτή τη στιγμή η δίοδος από τη μία πλευρά για να αναλάβει την αποστράγγιση - πόλος πηγής θετικής μέσης μιας σημαντικής αύξηση των απαιτήσεων εργασίας της τάσης λειτουργίας, από την άλλη πλευρά, και της αντίστροφης ροής ρεύματος ανάκτησης.
Ώρα δημοσίευσης: 29 Μαΐου 2024
