I. Ορισμός MOSFET
Ως συσκευές υψηλού ρεύματος που βασίζονται σε τάση, MOSFET έχουν μεγάλο αριθμό εφαρμογών σε κυκλώματα, ιδιαίτερα σε συστήματα ισχύος. Οι δίοδοι σώματος MOSFET, γνωστές και ως παρασιτικές δίοδοι, δεν βρίσκονται στη λιθογραφία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, αλλά βρίσκονται σε ξεχωριστές συσκευές MOSFET, οι οποίες παρέχουν αντίστροφη προστασία και συνέχιση ρεύματος όταν οδηγούνται από υψηλά ρεύματα και όταν υπάρχουν επαγωγικά φορτία.
Λόγω της παρουσίας αυτής της διόδου, η συσκευή MOSFET δεν μπορεί απλώς να δει να μεταβαίνει σε ένα κύκλωμα, καθώς σε ένα κύκλωμα φόρτισης όπου η φόρτιση ολοκληρώνεται, αφαιρείται η ισχύς και η μπαταρία αναστρέφεται προς τα έξω, κάτι που είναι συνήθως ανεπιθύμητο αποτέλεσμα.
Η γενική λύση είναι να προσθέσετε μια δίοδο στο πίσω μέρος για να αποτρέψετε την αντίστροφη τροφοδοσία ρεύματος, αλλά τα χαρακτηριστικά της διόδου καθορίζουν την ανάγκη για πτώση τάσης προς τα εμπρός 0,6~1V, η οποία οδηγεί σε σοβαρή παραγωγή θερμότητας σε υψηλά ρεύματα ενώ προκαλεί σπατάλη ενέργειας και τη μείωση της συνολικής ενεργειακής απόδοσης. Μια άλλη μέθοδος είναι να προσαρτήσετε ένα MOSFET back-to-back, χρησιμοποιώντας τη χαμηλή αντίσταση του MOSFET για την επίτευξη ενεργειακής απόδοσης.
Θα πρέπει να σημειωθεί ότι μετά την αγωγή, το MOSFET είναι μη κατευθυντικό, άρα μετά την αγωγιμότητα υπό πίεση, ισοδυναμεί με σύρμα, μόνο αντίσταση, χωρίς πτώση τάσης σε κατάσταση κατάστασης, συνήθως κορεσμένη αντίσταση επί μερικά χιλιοστάεπίκαιρα milliohmsκαι μη κατευθυντικό, επιτρέποντας τη διέλευση ρεύματος DC και AC.
II. Χαρακτηριστικά των MOSFET
1, το MOSFET είναι μια συσκευή ελεγχόμενη από τάση, δεν απαιτείται στάδιο πρόωσης για την οδήγηση υψηλών ρευμάτων.
2, Υψηλή αντίσταση εισόδου.
3, ευρύ φάσμα συχνοτήτων λειτουργίας, υψηλή ταχύτητα μεταγωγής, χαμηλή απώλεια
4, AC άνετη υψηλή αντίσταση, χαμηλό θόρυβο.
5,Πολλαπλή παράλληλη χρήση, αύξηση του ρεύματος εξόδου
Δεύτερον, η χρήση MOSFET στη διαδικασία των προφυλάξεων
1, προκειμένου να διασφαλιστεί η ασφαλής χρήση του MOSFET, στο σχεδιασμό της γραμμής, δεν πρέπει να υπερβαίνει τις οριακές τιμές διαρροής ισχύος του αγωγού, μέγιστη τάση πηγής διαρροής, τάση και ρεύμα πηγής πύλης και άλλες οριακές τιμές παραμέτρων.
2, διάφοροι τύποι MOSFET σε χρήση, πρέπεινα είσαι αυστηρά μέσα σύμφωνα με την απαιτούμενη πρόσβαση μεροληψίας στο κύκλωμα, για συμμόρφωση με την πολικότητα της μετατόπισης MOSFET.
3. Κατά την εγκατάσταση του MOSFET, προσέξτε τη θέση εγκατάστασης για να αποφύγετε την κοντινή απόσταση από το θερμαντικό στοιχείο. Για να αποφευχθούν οι κραδασμοί των εξαρτημάτων, το κέλυφος πρέπει να σφίγγεται. Η κάμψη των καλωδίων πείρων πρέπει να πραγματοποιείται σε μέγεθος μεγαλύτερο από το μέγεθος της ρίζας των 5 mm για να αποφευχθεί η κάμψη του πείρου και η διαρροή.
4, λόγω της εξαιρετικά υψηλής σύνθετης αντίστασης εισόδου, τα MOSFET πρέπει να βραχυκυκλώνονται από τον πείρο κατά τη μεταφορά και την αποθήκευση και να συσκευάζονται με μεταλλική θωράκιση για την αποφυγή εξωτερικών επαγόμενων πιθανών καταστροφής της πύλης.
5. Η τάση πύλης των MOSFET σύνδεσης δεν μπορεί να αντιστραφεί και μπορεί να αποθηκευτεί σε κατάσταση ανοιχτού κυκλώματος, αλλά η αντίσταση εισόδου των MOSFET με μόνωση πύλης είναι πολύ υψηλή όταν δεν χρησιμοποιούνται, επομένως κάθε ηλεκτρόδιο πρέπει να βραχυκυκλώνεται. Κατά τη συγκόλληση MOSFET με μόνωση πύλης, ακολουθήστε τη σειρά πηγής-αποχέτευσης-πύλης και συγκολλήστε με απενεργοποίηση.
Για να διασφαλίσετε την ασφαλή χρήση των MOSFET, πρέπει να κατανοήσετε πλήρως τα χαρακτηριστικά των MOSFET και τις προφυλάξεις που πρέπει να λαμβάνονται κατά τη χρήση της διαδικασίας, ελπίζω ότι η παραπάνω περίληψη θα σας βοηθήσει.
Ώρα δημοσίευσης: 15 Μαΐου 2024
