Ειδικό σχέδιο: μια συσκευή απαγωγής θερμότητας MOSFET υψηλής ισχύος, που περιλαμβάνει ένα κοίλο περίβλημα και μια πλακέτα κυκλώματος.Η πλακέτα κυκλώματος είναι τοποθετημένη στο περίβλημα.Ένας αριθμός από side-by-side MOSFET συνδέονται και στα δύο άκρα της πλακέτας κυκλώματος μέσω ακίδων.Περιλαμβάνει επίσης μια συσκευή για τη συμπίεση τουMOSFET.Το MOSFET είναι κατασκευασμένο ώστε να βρίσκεται κοντά στο μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας στο εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος.Το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας έχει ένα πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού που περνά μέσα από αυτό.Το πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού είναι κατακόρυφα διατεταγμένο με πλήθος MOSFET δίπλα-δίπλα.Το πλευρικό τοίχωμα του περιβλήματος είναι εφοδιασμένο με ένα δεύτερο κανάλι κυκλοφορίας νερού παράλληλο με το πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού και το δεύτερο κανάλι κυκλοφορίας νερού είναι κοντά στο αντίστοιχο MOSFET.Το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας είναι εφοδιασμένο με πολλές οπές με σπείρωμα.Το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας συνδέεται σταθερά με το εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος μέσω βιδών.Οι βίδες βιδώνονται στις οπές με σπείρωμα του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας από τις οπές με σπείρωμα στο πλευρικό τοίχωμα του περιβλήματος.Το εξωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος είναι εφοδιασμένο με ένα αυλάκι απαγωγής θερμότητας.Οι ράβδοι στήριξης παρέχονται και στις δύο πλευρές του εσωτερικού τοιχώματος του περιβλήματος για τη στήριξη της πλακέτας κυκλώματος.Όταν το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας είναι σταθερά συνδεδεμένο με το εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος, η πλακέτα κυκλώματος πιέζεται μεταξύ των πλευρικών τοιχωμάτων του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας και των ράβδων στήριξης.Υπάρχει ένα μονωτικό φιλμ μεταξύ τουMOSFETκαι το εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος, και υπάρχει ένα μονωτικό φιλμ μεταξύ του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας και του MOSFET.Το πλευρικό τοίχωμα του κελύφους είναι εφοδιασμένο με σωλήνα απαγωγής θερμότητας κάθετο προς το πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού.Το ένα άκρο του σωλήνα απαγωγής θερμότητας είναι εφοδιασμένο με καλοριφέρ και το άλλο άκρο είναι κλειστό.Το ψυγείο και ο σωλήνας απαγωγής θερμότητας σχηματίζουν μια κλειστή εσωτερική κοιλότητα και η εσωτερική κοιλότητα είναι εφοδιασμένη με ψυκτικό μέσο.Η ψύκτρα περιλαμβάνει έναν δακτύλιο απαγωγής θερμότητας σταθερά συνδεδεμένο με τον σωλήνα απαγωγής θερμότητας και ένα πτερύγιο απαγωγής θερμότητας σταθερά συνδεδεμένο με τον δακτύλιο απαγωγής θερμότητας.η ψύκτρα είναι επίσης σταθερά συνδεδεμένη με έναν ανεμιστήρα ψύξης.
Ειδικά αποτελέσματα: Αύξηση της απόδοσης απαγωγής θερμότητας του MOSFET και βελτίωση της διάρκειας ζωής τουMOSFET;βελτιώστε την επίδραση απαγωγής θερμότητας του περιβλήματος, διατηρώντας σταθερή τη θερμοκρασία μέσα στο περίβλημα.απλή δομή και εύκολη εγκατάσταση.
Η παραπάνω περιγραφή είναι μόνο μια επισκόπηση της τεχνικής λύσης της παρούσας εφεύρεσης.Προκειμένου να κατανοηθούν καλύτερα τα τεχνικά μέσα της παρούσας εφεύρεσης, μπορεί να υλοποιηθεί σύμφωνα με τα περιεχόμενα της περιγραφής.Προκειμένου να γίνουν τα παραπάνω και άλλα αντικείμενα, χαρακτηριστικά και πλεονεκτήματα της παρούσας εφεύρεσης πιο προφανή και κατανοητά, οι προτιμώμενες εφαρμογές περιγράφονται λεπτομερώς παρακάτω μαζί με τα συνοδευτικά σχέδια.
Η συσκευή απαγωγής θερμότητας περιλαμβάνει ένα κοίλο περίβλημα κατασκευής 100 και μια πλακέτα κυκλώματος 101. Η πλακέτα κυκλώματος 101 είναι διατεταγμένη στο περίβλημα 100. Ένας αριθμός δίπλα-δίπλα MOSFET 102 συνδέονται και στα δύο άκρα της πλακέτας κυκλώματος 101 μέσω ακίδων.Περιλαμβάνει επίσης ένα μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 για τη συμπίεση του MOSFET 102 έτσι ώστε το MOSFET 102 να βρίσκεται κοντά στο εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος 100. Το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 έχει ένα πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού 104 που διατρέχει αυτό.Το πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού 104 είναι κατακόρυφα διατεταγμένο με πολλά MOSFET 102 δίπλα-δίπλα.
Το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 πιέζει το MOSFET 102 πάνω στο εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος 100, και μέρος της θερμότητας του MOSFET 102 μεταφέρεται στο περίβλημα 100. Ένα άλλο μέρος της θερμότητας οδηγείται στο μπλοκ απαγωγής θερμότητας 103, και το περίβλημα 100 διαχέει τη θερμότητα στον αέρα.Η θερμότητα του μπλοκ απαγωγής θερμότητας 103 αφαιρείται από το νερό ψύξης στο πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού 104, το οποίο βελτιώνει την επίδραση απαγωγής θερμότητας του MOSFET 102. Ταυτόχρονα, μέρος της θερμότητας που παράγεται από άλλα εξαρτήματα στο περίβλημα 100 οδηγείται επίσης στο μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103. Επομένως, το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 μπορεί να μειώσει περαιτέρω τη θερμοκρασία στο περίβλημα 100 και να βελτιώσει την απόδοση εργασίας και τη διάρκεια ζωής άλλων εξαρτημάτων στο περίβλημα 100.Το περίβλημα 100 έχει μια κοίλη δομή, έτσι η θερμότητα δεν συσσωρεύεται εύκολα στο περίβλημα 100, αποτρέποντας έτσι την υπερθέρμανση και την καύση της πλακέτας κυκλώματος 101.Το πλευρικό τοίχωμα του περιβλήματος 100 είναι εφοδιασμένο με ένα δεύτερο κανάλι κυκλοφορίας νερού 105 παράλληλο προς το πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού 104, και το δεύτερο κανάλι κυκλοφορίας νερού 105 είναι κοντά στο αντίστοιχο MOSFET 102.Το εξωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος 100 είναι εφοδιασμένο με ένα αυλάκι απαγωγής θερμότητας 108.Η θερμότητα του περιβλήματος 100 απομακρύνεται κυρίως μέσω του νερού ψύξης στο δεύτερο κανάλι κυκλοφορίας νερού 105.Ένα άλλο μέρος της θερμότητας διαχέεται μέσω του αυλακιού απαγωγής θερμότητας 108, το οποίο βελτιώνει την επίδραση απαγωγής θερμότητας του περιβλήματος 100. Το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 είναι εφοδιασμένο με πολλές οπές με σπείρωμα 107. Το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 συνδέεται σταθερά με το εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος 100 μέσω βιδών.Οι βίδες βιδώνονται στις οπές με σπείρωμα του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 από τις οπές με σπείρωμα στα πλευρικά τοιχώματα του περιβλήματος 100.
Στην παρούσα εφεύρεση, ένα συνδετικό τεμάχιο 109 εκτείνεται από την άκρη του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103. Το συνδετικό τεμάχιο 109 είναι εφοδιασμένο με έναν αριθμό οπών με σπείρωμα 107. Το συνδετικό τεμάχιο 109 συνδέεται σταθερά με το εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος 100 μέσα από βίδες.Οι ράβδοι στήριξης 106 παρέχονται και στις δύο πλευρές του εσωτερικού τοιχώματος του περιβλήματος 100 για να υποστηρίζουν την πλακέτα κυκλώματος 101. Όταν το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 είναι σταθερά συνδεδεμένο με το εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος 100, η πλακέτα κυκλώματος 101 πιέζεται μεταξύ του πλευρικά τοιχώματα του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 και των ράβδων στήριξης 106. Κατά την εγκατάσταση, η πλακέτα κυκλώματος 101 τοποθετείται πρώτα στην επιφάνεια της ράβδου στήριξης 106 και το κάτω μέρος του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 πιέζεται στην άνω επιφάνεια της πλακέτας κυκλώματος 101. Στη συνέχεια, το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 στερεώνεται στο εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος 100 με βίδες.Μια αυλάκωση σύσφιξης σχηματίζεται μεταξύ του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 και της ράβδου στήριξης 106 για να συσφίξει την πλακέτα κυκλώματος 101 για να διευκολύνει την εγκατάσταση και την αφαίρεση της πλακέτας κυκλώματος 101. Ταυτόχρονα, η πλακέτα κυκλώματος 101 είναι κοντά στην απαγωγή θερμότητας μπλοκ πίεσης 103 .Επομένως, η θερμότητα που παράγεται από την πλακέτα κυκλώματος 101 διοχετεύεται στο μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103, και το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 μεταφέρεται από το νερό ψύξης στο πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού 104, αποτρέποντας έτσι την υπερθέρμανση της πλακέτας κυκλώματος 101 και καύση.Κατά προτίμηση, ένα μονωτικό φιλμ τοποθετείται μεταξύ του MOSFET 102 και του εσωτερικού τοιχώματος του περιβλήματος 100, και ένα μονωτικό φιλμ τοποθετείται μεταξύ του μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 103 και του MOSFET 102.
Μια συσκευή απαγωγής θερμότητας MOSFET υψηλής ισχύος περιλαμβάνει ένα κοίλο περίβλημα κατασκευής 200 και μια πλακέτα κυκλώματος 202. Η πλακέτα κυκλώματος 202 είναι διατεταγμένη στο περίβλημα 200. Ένας αριθμός δίπλα-δίπλα MOSFET 202 συνδέονται αντίστοιχα και στα δύο άκρα του κυκλώματος η σανίδα 202 διαμπερών ακίδων, και περιλαμβάνει επίσης ένα μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 203 για τη συμπίεση των MOSFET 202 έτσι ώστε τα MOSFET 202 να είναι κοντά στο εσωτερικό τοίχωμα του περιβλήματος 200.Ένα πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού 204 διατρέχει το μπλοκ πίεσης απαγωγής θερμότητας 203. Το πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού 204 είναι κατακόρυφα διατεταγμένο με πολλά δίπλα-δίπλα MOSFET 202. Το πλευρικό τοίχωμα του κελύφους είναι εφοδιασμένο με έναν σωλήνα απαγωγής θερμότητας 205 κάθετα προς το πρώτο κανάλι κυκλοφορίας νερού 204 και το ένα άκρο του σωλήνα απαγωγής θερμότητας 205 είναι εφοδιασμένο με ένα σώμα απαγωγής θερμότητας 206. Το άλλο άκρο είναι κλειστό και το σώμα απαγωγής θερμότητας 206 και ο σωλήνας απαγωγής θερμότητας 205 σχηματίζουν μια κλειστή εσωτερική κοιλότητα, και Το ψυκτικό είναι τοποθετημένο στην εσωτερική κοιλότητα.Το MOSFET 202 παράγει θερμότητα και εξατμίζει το ψυκτικό.Κατά την εξάτμιση, απορροφά τη θερμότητα από το άκρο θέρμανσης (κοντά στο άκρο MOSFET 202) και στη συνέχεια ρέει από το άκρο θέρμανσης στο άκρο ψύξης (μακριά από το άκρο MOSFET 202).Όταν συναντά κρύο στο άκρο ψύξης, απελευθερώνει θερμότητα στην εξωτερική περιφέρεια του τοιχώματος του σωλήνα.Στη συνέχεια, το υγρό ρέει προς το άκρο θέρμανσης, σχηματίζοντας έτσι ένα κύκλωμα απαγωγής θερμότητας.Αυτή η απαγωγή θερμότητας μέσω της εξάτμισης και του υγρού είναι πολύ καλύτερη από την απαγωγή θερμότητας των συμβατικών αγωγών θερμότητας.Το σώμα απαγωγής θερμότητας 206 περιλαμβάνει έναν δακτύλιο απαγωγής θερμότητας 207 σταθερά συνδεδεμένο με τον σωλήνα απαγωγής θερμότητας 205 και ένα πτερύγιο απαγωγής θερμότητας 208 σταθερά συνδεδεμένο με τον δακτύλιο απαγωγής θερμότητας 207.το πτερύγιο απαγωγής θερμότητας 208 συνδέεται επίσης σταθερά με έναν ανεμιστήρα ψύξης 209.
Ο δακτύλιος απαγωγής θερμότητας 207 και ο σωλήνας απαγωγής θερμότητας 205 έχουν μεγάλη απόσταση προσαρμογής, έτσι ώστε ο δακτύλιος απαγωγής θερμότητας 207 να μπορεί να μεταφέρει γρήγορα τη θερμότητα στον σωλήνα απαγωγής θερμότητας 205 στην ψύκτρα 208 για να επιτευχθεί ταχεία απαγωγή θερμότητας.
Ώρα δημοσίευσης: Νοε-08-2023
