MOSFET σε ελεγκτές ηλεκτρικών οχημάτων

1, ο ρόλος του MOSFET στον ελεγκτή ηλεκτρικών οχημάτων

Με απλά λόγια, ο κινητήρας κινείται από το ρεύμα εξόδου τουMOSFET, όσο υψηλότερο είναι το ρεύμα εξόδου (για να αποφευχθεί η καύση του MOSFET, ο ελεγκτής έχει προστασία ορίου ρεύματος), όσο ισχυρότερη είναι η ροπή του κινητήρα, τόσο πιο ισχυρή είναι η επιτάχυνση.

2, το κύκλωμα ελέγχου της κατάστασης λειτουργίας του MOSFET

Ανοιχτή διαδικασία, κατάσταση λειτουργίας, διαδικασία εκτός λειτουργίας, κατάσταση αποκοπής, κατάσταση ανάλυσης.

Οι κύριες απώλειες του MOSFET περιλαμβάνουν απώλειες ενεργοποίησης (διαδικασία ενεργοποίησης και απενεργοποίησης), απώλειες αγωγιμότητας, απώλειες αποκοπής (που προκαλούνται από ρεύμα διαρροής, το οποίο είναι αμελητέο), απώλειες ενέργειας από χιονοστιβάδα. Εάν αυτές οι απώλειες ελέγχονται εντός του ανεκτού εύρους του MOSFET, το MOSFET θα λειτουργήσει σωστά, εάν υπερβεί το ανεκτό εύρος, θα προκληθεί ζημιά.

Η απώλεια μεταγωγής είναι συχνά μεγαλύτερη από την απώλεια κατάστασης αγωγιμότητας, ειδικά το PWM δεν είναι πλήρως ανοιχτό, στην κατάσταση διαμόρφωσης πλάτους παλμού (που αντιστοιχεί στην κατάσταση επιτάχυνσης εκκίνησης του ηλεκτρικού αυτοκινήτου) και η υψηλότερη ταχεία κατάσταση είναι συχνά η απώλεια αγωγιμότητας είναι κυριάρχησε.

3, οι κύριες αιτίες τηςMOSβλάβη

Υπερένταση, υψηλό ρεύμα που προκαλείται από ζημιά σε υψηλή θερμοκρασία (το παρατεταμένο υψηλό ρεύμα και οι στιγμιαίοι παλμοί υψηλού ρεύματος που προκαλούνται από τη θερμοκρασία της διασταύρωσης υπερβαίνουν την τιμή ανοχής). υπέρταση, το επίπεδο πηγής-αποστράγγισης είναι μεγαλύτερο από την τάση διάσπασης και τη διάσπαση. βλάβη της πύλης, συνήθως επειδή η τάση της πύλης είναι κατεστραμμένη από το εξωτερικό κύκλωμα ή το κύκλωμα μετάδοσης κίνησης περισσότερο από τη μέγιστη επιτρεπόμενη τάση (γενικά απαιτείται η τάση της πύλης να είναι μικρότερη από 20v), καθώς και βλάβη από στατικό ηλεκτρισμό.

4, αρχή μεταγωγής MOSFET

Το MOSFET είναι μια συσκευή που βασίζεται στην τάση, εφόσον η πύλη G και η βαθμίδα πηγής S για να δώσουν μια κατάλληλη τάση μεταξύ της βαθμίδας πηγής S και D θα σχηματίσουν ένα κύκλωμα αγωγιμότητας μεταξύ της βαθμίδας πηγής. Η αντίσταση αυτής της διαδρομής ρεύματος γίνεται η εσωτερική αντίσταση MOSFET, δηλαδή η αντίσταση on-resistance. Το μέγεθος αυτής της εσωτερικής αντίστασης καθορίζει βασικά το μέγιστο ρεύμα κατάστασης που τοMOSFETτο τσιπ μπορεί να αντέξει (φυσικά, σχετίζεται και με άλλους παράγοντες, ο πιο σχετικός είναι η θερμική αντίσταση). Όσο μικρότερη είναι η εσωτερική αντίσταση, τόσο μεγαλύτερο είναι το ρεύμα.