Επιλογή MOSFET | Αρχές κατασκευής MOSFET N-Channel

Δομή μετάλλου-οξειδίου-Ημιαγωγού του κρυσταλλικού τρανζίστορ που είναι κοινώς γνωστό ωςMOSFET, όπου τα MOSFET χωρίζονται σε MOSFET τύπου P και MOSFET τύπου N. Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα που αποτελούνται από MOSFET ονομάζονται επίσης ολοκληρωμένα κυκλώματα MOSFET και τα στενά συνδεδεμένα ολοκληρωμένα κυκλώματα MOSFET που αποτελούνται από PMOSFET καιNMOSFET ονομάζονται ολοκληρωμένα κυκλώματα CMOSFET.

Ένα MOSFET που αποτελείται από ένα υπόστρωμα τύπου p και δύο περιοχές διασποράς n με υψηλές τιμές συγκέντρωσης ονομάζεται κανάλι nMOSFETκαι το αγώγιμο κανάλι που προκαλείται από ένα αγώγιμο κανάλι τύπου n προκαλείται από τις διαδρομές διασποράς n στις δύο διαδρομές διασποράς n με υψηλές τιμές συγκέντρωσης όταν ο σωλήνας άγει. Τα MOSFET με πάχυνση n-καναλιών έχουν το n-κανάλι που προκαλείται από ένα αγώγιμο κανάλι όταν μια θετική κατευθυντική πόλωση αυξάνεται όσο το δυνατόν περισσότερο στην πύλη και μόνο όταν η λειτουργία της πηγής πύλης απαιτεί μια τάση λειτουργίας που υπερβαίνει την τάση κατωφλίου. Τα MOSFET εξάντλησης n καναλιών είναι αυτά που δεν είναι έτοιμα για την τάση πύλης (η λειτουργία της πηγής πύλης απαιτεί τάση λειτουργίας μηδέν). Ένα MOSFET εξάντλησης φωτός n καναλιών είναι ένα MOSFET n καναλιών στο οποίο το αγώγιμο κανάλι προκαλείται όταν η τάση πύλης (η τάση λειτουργίας απαίτησης λειτουργίας πηγής πύλης είναι μηδέν) δεν έχει προετοιμαστεί.

Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα NMOSFET είναι κύκλωμα τροφοδοσίας MOSFET N καναλιών, ολοκληρωμένα κυκλώματα NMOSFET, η αντίσταση εισόδου είναι πολύ υψηλή, η συντριπτική πλειονότητα δεν χρειάζεται να αφομοιώσει την απορρόφηση της ροής ισχύος, και έτσι τα ολοκληρωμένα κυκλώματα CMOSFET και NMOSFET συνδέονται χωρίς να χρειάζεται να ληφθούν υπολογίζουν το φορτίο της ροής ισχύος. Ολοκληρωμένα κυκλώματα NMOSFET, η συντριπτική πλειοψηφία της επιλογής ενός Κυκλώματα τροφοδοσίας κυκλώματος θετικής μεταγωγής μονής ομάδας Η πλειονότητα των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων NMOSFET χρησιμοποιεί ένα κύκλωμα τροφοδοσίας ενιαίου θετικού κυκλώματος μεταγωγής και 9V για περισσότερα. Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα CMOSFET χρειάζεται μόνο να χρησιμοποιούν το ίδιο κύκλωμα τροφοδοσίας ρεύματος μεταγωγής με τα ολοκληρωμένα κυκλώματα NMOSFET, μπορούν να συνδεθούν αμέσως με τα ολοκληρωμένα κυκλώματα NMOSFET. Ωστόσο, από το NMOSFET στο CMOSFET συνδέθηκε αμέσως, επειδή η αντίσταση έλξης εξόδου NMOSFET είναι μικρότερη από την αντίσταση έλξης με κλειδί ολοκληρωμένου κυκλώματος CMOSFET, οπότε προσπαθήστε να εφαρμόσετε μια διαφορά δυναμικού στην αντίσταση έλξης R, η τιμή της αντίστασης R είναι γενικά 2 έως 100KΩ.

Κατασκευή MOSFET με πάχυνση Ν καναλιών
Σε ένα υπόστρωμα πυριτίου τύπου Ρ με χαμηλή τιμή συγκέντρωσης ντόπινγκ, κατασκευάζονται δύο περιοχές Ν με υψηλή τιμή συγκέντρωσης ντόπινγκ και δύο ηλεκτρόδια εξάγονται από μέταλλο αλουμινίου για να χρησιμεύσουν ως αποχέτευση d και πηγή s, αντίστοιχα.

Στη συνέχεια, στην επιφάνεια του στοιχείου ημιαγωγού καλύπτοντας ένα πολύ λεπτό στρώμα μονωτικού σωλήνα πυριτίου, στον μονωτικό σωλήνα αποχέτευσης - πηγής μεταξύ της αποστράγγισης και πηγής άλλου ηλεκτροδίου αλουμινίου, όπως η πύλη g.

Στο υπόστρωμα οδηγεί επίσης ένα ηλεκτρόδιο Β, το οποίο αποτελείται από ένα MOSFET πάχους Ν καναλιού. Η πηγή και το υπόστρωμα του MOSFET είναι γενικά συνδεδεμένα μεταξύ τους, η συντριπτική πλειοψηφία του σωλήνα στο εργοστάσιο έχει συνδεθεί εδώ και πολύ καιρό, η πύλη του και άλλα ηλεκτρόδια είναι μονωμένα μεταξύ του περιβλήματος.