Προστασία πηγής πύλης MOSFET

Προστασία πηγής πύλης MOSFET

Ώρα δημοσίευσης: 27 Ιουλίου 2024

Το ίδιο το MOSFET έχει πολλά πλεονεκτήματα, αλλά ταυτόχρονα το MOSFET έχει μια πιο ευαίσθητη ικανότητα βραχυπρόθεσμης υπερφόρτωσης, ειδικά σε σενάρια εφαρμογών υψηλής συχνότητας, άρα στη χρήση ισχύοςMOSFET πρέπει να αναπτυχθεί για το αποτελεσματικό κύκλωμα προστασίας του για την ενίσχυση της σταθερότητας της συσκευής.

Προστασία πηγής πύλης MOSFET

Για να το πούμε ωμά, η προστασία από υπερένταση, είναι στην έξοδο σφαλμάτων βραχυκυκλώματος ή υπερφόρτωσης στο τροφοδοτικό ή στη συντήρηση του φορτίου, σε αυτό το στάδιο της προστασίας από υπερένταση τροφοδοσίας υπάρχουν διάφοροι τρόποι, όπως σταθερό ρεύμα, σταθερή έξοδος τύπος ισχύος, κ.λπ., αλλά η ανάπτυξη ενός τέτοιου κυκλώματος προστασίας από υπερένταση δεν μπορεί να διαχωριστεί από το MOSFET, ένα MOSFET υψηλής ποιότητας μπορεί να βελτιώσει τον ρόλο του υπερέντασης τροφοδοσίας προστασία.

Προστασία πηγής πύλης MOSFET (1)