Εισαγωγή στην αρχή λειτουργίας των ευρέως χρησιμοποιούμενων MOSFET υψηλής ισχύος

Σήμερα, για τα ευρέως χρησιμοποιούμενα υψηλής ισχύοςMOSFETνα εισαγάγει εν συντομία την αρχή λειτουργίας του. Δείτε πώς πραγματοποιεί το δικό του έργο.

Metal-Oxide-Semiconductor δηλαδή, Metal-Oxide-Semiconductor, ακριβώς, αυτό το όνομα περιγράφει τη δομή του MOSFET στο ολοκληρωμένο κύκλωμα, δηλαδή: σε μια συγκεκριμένη δομή της συσκευής ημιαγωγών, σε συνδυασμό με διοξείδιο του πυριτίου και μέταλλο, ο σχηματισμός της πύλης.

Η πηγή και η αποστράγγιση ενός MOSFET είναι αντίθετες, καθώς και οι δύο είναι ζώνες τύπου Ν που σχηματίζονται σε μια πίσω πύλη τύπου P. Στις περισσότερες περιπτώσεις, οι δύο περιοχές είναι ίδιες, ακόμα κι αν τα δύο άκρα της ρύθμισης δεν επηρεάζουν την απόδοση της συσκευής, μια τέτοια συσκευή θεωρείται συμμετρική.

Ταξινόμηση: σύμφωνα με τον τύπο υλικού καναλιού και τον τύπο μονωμένης πύλης κάθε καναλιού Ν και καναλιού P δύο. σύμφωνα με τη λειτουργία αγωγιμότητας: Το MOSFET χωρίζεται σε εξάντληση και ενίσχυση, επομένως το MOSFET χωρίζεται σε εξάντληση και ενίσχυση καναλιών Ν. Εξάντληση και ενίσχυση καναλιού P τεσσάρων μεγάλων κατηγοριών.

Αρχή λειτουργίας MOSFET - τα δομικά χαρακτηριστικά τουMOSFETάγει μόνο έναν φορέα πολικότητας (πολύ) που εμπλέκεται στο αγώγιμο, είναι ένα μονοπολικό τρανζίστορ. Ο μηχανισμός αγωγής είναι ο ίδιος με το MOSFET χαμηλής κατανάλωσης, αλλά η δομή έχει μεγάλη διαφορά, το MOSFET χαμηλής ισχύος είναι μια οριζόντια αγώγιμη συσκευή, το μεγαλύτερο μέρος της κάθετης αγώγιμης δομής του MOSFET ισχύος, επίσης γνωστό ως VMOSFET, το οποίο βελτιώνει σημαντικά το MOSFET ικανότητα αντοχής στην τάση και το ρεύμα της συσκευής. Το κύριο χαρακτηριστικό είναι ότι υπάρχει ένα στρώμα μόνωσης πυριτίου μεταξύ της μεταλλικής πύλης και του καναλιού, και επομένως έχει υψηλή αντίσταση εισόδου, ο σωλήνας άγει σε δύο υψηλές συγκεντρώσεις n ζώνης διάχυσης για να σχηματίσει ένα αγώγιμο κανάλι τύπου n. Τα MOSFET βελτίωσης καναλιών n πρέπει να εφαρμόζονται στην πύλη με πόλωση προς τα εμπρός και μόνο όταν η τάση της πηγής πύλης είναι μεγαλύτερη από την οριακή τάση του αγώγιμου καναλιού που δημιουργείται από το MOSFET n καναλιών. Τα MOSFET τύπου εξάντλησης n καναλιών είναι MOSFET n καναλιών στα οποία δημιουργούνται αγώγιμα κανάλια όταν δεν εφαρμόζεται τάση πύλης (η τάση πηγής πύλης είναι μηδέν).

Η αρχή λειτουργίας του MOSFET είναι να ελέγχει την ποσότητα του "επαγόμενου φορτίου" χρησιμοποιώντας VGS για να αλλάξει την κατάσταση του αγώγιμου καναλιού που σχηματίζεται από το "επαγόμενο φορτίο" και στη συνέχεια να επιτύχει τον σκοπό του ελέγχου του ρεύματος αποστράγγισης. Στην κατασκευή των σωλήνων, μέσω της διαδικασίας του μονωτικού στρώματος στην ανάδυση μεγάλου αριθμού θετικών ιόντων, έτσι ώστε στην άλλη πλευρά της διεπαφής μπορεί να προκληθεί περισσότερο αρνητικό φορτίο, αυτά τα αρνητικά φορτία για την υψηλή διείσδυση των ακαθαρσιών στο Ν. περιοχή που συνδέεται με το σχηματισμό ενός αγώγιμου καναλιού, ακόμη και στο VGS = 0 υπάρχει επίσης ένα μεγάλο αναγνωριστικό ρεύματος διαρροής. όταν αλλάζει η τάση της πύλης, αλλάζει και η ποσότητα φόρτισης που προκαλείται στο κανάλι και αλλάζει το εύρος και η στενότητα του καναλιού του αγώγιμου καναλιού και, επομένως, το ID ρεύματος διαρροής με την τάση πύλης. Το αναγνωριστικό ρεύματος ποικίλλει ανάλογα με την τάση της πύλης.

Τώρα η εφαρμογή τουMOSFETέχει βελτιώσει σημαντικά τη μάθηση των ανθρώπων, την αποδοτικότητα της εργασίας, βελτιώνοντας παράλληλα την ποιότητα της ζωής μας. Έχουμε μια πιο ορθολογική κατανόησή του μέσω κάποιας απλής κατανόησης. Όχι μόνο θα χρησιμοποιηθεί ως εργαλείο, περισσότερη κατανόηση των χαρακτηριστικών του, η αρχή της εργασίας, που θα μας δώσει επίσης πολλή διασκέδαση.