Χαρακτηριστικά των ενισχυμένων MOSFET

ΕξουσίαMOSFET Το "MOSFET" είναι ένα "Transistor Field Effect Field Semicoductor Metal Oxide" στην αγγλική γλώσσα. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metal matriaal, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en lichtka devolnaple onderverdeeld σε τύπου N-kanaal en P-kanaal τύπου.

Δύναμη η λέξη του MOSFET πάνω από τα κυκλώματα κίνησης. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de παράμετρος RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; Το RDS(ON) είναι εντάξει για την εφαρμογή FET-toepassing. Οδηγός πληροφοριών για τα δεδομένα ορίζει το RDS(ON) σε σχέση με τη στάθμη της πύλης, VGS, την πόρτα του χλοοτάπητα από το vermogensschakelaar vloeit, το RDS(ON) είναι μια σχετική στατιστική gegevensparameter voor voldoende gate drive.

Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen πληροί τις ελάχιστες ontwerpspecificaties en kosten, είναι een lage uitschakelkarakteristieke impedantie en must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schalende voeding vaak meerdere ORingτου MOSFET παράλληλος λάτεν werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Σε ένα μεγάλο πλήθος των MOSFET's στη σειρά schakelen zodat του RDS(ON) επαναδιατυπώστε τις λέξεις που θέλετε.

Naast RDS(ON), σε het hele process van MOSFET Selectie, zijn er ook een anal MOSFET parameters zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. Σε ό,τι αφορά τον Οδηγό Πληροφοριών για τα Δεδομένα, ο αγωγός αποστράγγισης και ο αγωγός αποστράγγισης είναι ο γραφικός του SOA. Βεβαιωθείτε ότι έχετε ορίσει το SOA de voedingspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.

Για τους παραπάνω τύπους συνθηκών φορτίου, αφού υπολογίσετε (ή μετρήσετε) τη μεγαλύτερη τάση λειτουργίας και στη συνέχεια αφήσετε ένα περιθώριο από 20% έως 30%, μπορείτε να καθορίσετε την απαραίτητη ονομαστική τιμή ρεύματος VDS του MOSFET. Εδώ πρέπει να πούμε ότι, για καλύτερο ισχυρότερο κόστος και πιο ομαλά χαρακτηριστικά, μπορούν να επιλέξουν στη σειρά ρεύματος AC τρέχουσες διόδους και επαγωγείς στο κλείσιμο της σύνθεσης του βρόχου ελέγχου ρεύματος, απελευθερώνοντας την κινητική ενέργεια από το επαγωγικό ρεύμα για να διατηρηθεί η MOSFET. Το ονομαστικό ρεύμα είναι σαφές, το ρεύμα μπορεί να συναχθεί. Αλλά εδώ πρέπει να ληφθούν υπόψη δύο παράμετροι: η μία είναι η τιμή του ρεύματος σε συνεχή λειτουργία και η υψηλότερη τιμή της ακίδας ρεύματος ενός παλμού (Spike και Surge), αυτές οι δύο παράμετροι για να αποφασίσετε πόσο θα πρέπει να επιλέξετε την ονομαστική τιμή του τρέχουσα τιμή.