Αιτίες και πρόληψη της βλάβης του MOSFET

Βλάβη τάσης πύλης

Υπάρχουν τρεις κύριες αιτίες ασυνήθιστα υψηλών τάσεων στο δίκτυο: στατικός ηλεκτρισμός κατά την παραγωγή, τη μεταφορά και τη συναρμολόγηση. συντονισμός υψηλής τάσης που παράγεται από παρασιτικές παραμέτρους του εξοπλισμού και των κυκλωμάτων κατά τη λειτουργία του συστήματος ισχύος. και μετάδοση υψηλής τάσης μέσω του Ggd στο δίκτυο κατά τη διάρκεια κραδασμών υψηλής τάσης (ένα σφάλμα που είναι πιο συνηθισμένο κατά τη δοκιμή κεραυνού).

Μέτρα για την αποφυγή σφαλμάτων τάσης πύλης:

Προστασία από υπέρταση μεταξύ πύλης και πηγής: Όταν η σύνθετη αντίσταση μεταξύ πύλης και πηγής είναι πολύ υψηλή, η ξαφνική αλλαγή τάσης μεταξύ πύλης και πηγής συνδέεται με την πύλη μέσω της χωρητικότητας μεταξύ των ηλεκτροδίων, με αποτέλεσμα μια πολύ υψηλή υπερρύθμιση της τάσης UGS. οδηγώντας σε υπερβολική ρύθμιση της πύλης. Μόνιμη οξειδωτική βλάβη. Εάν το UGS βρίσκεται σε θετική μεταβατική τάση, η συσκευή μπορεί επίσης να προκαλέσει σφάλματα. Σε αυτή τη βάση, η σύνθετη αντίσταση του κυκλώματος κίνησης της πύλης θα πρέπει να μειωθεί κατάλληλα και μια αντίσταση απόσβεσης ή μια τάση σταθεροποίησης 20 V πρέπει να συνδεθεί μεταξύ της πύλης και της πηγής. Ιδιαίτερη προσοχή πρέπει να δίνεται για να αποφευχθεί η λειτουργία ανοιχτής πόρτας.

Προστασία από υπέρταση μεταξύ των σωλήνων εκκένωσης: Εάν υπάρχει επαγωγέας στο κύκλωμα, οι ξαφνικές αλλαγές στο ρεύμα διαρροής (di/dt) όταν η μονάδα είναι απενεργοποιημένη θα έχει ως αποτέλεσμα υπέρβαση της τάσης διαρροής πολύ πάνω από την τάση τροφοδοσίας, προκαλώντας ζημιά στη μονάδα. Η προστασία πρέπει να περιλαμβάνει σφιγκτήρα Zener, σφιγκτήρα RC ή κύκλωμα καταστολής RC.