Ανάλυση MOSFET βελτίωσης και εξάντλησης

Το D-FET είναι στην πύλη 0 όταν η ύπαρξη καναλιού, μπορεί να διεξάγει το FET? Το E-FET βρίσκεται στην πύλη 0 όταν δεν υπάρχει κανάλι, δεν μπορεί να πραγματοποιήσει το FET. Αυτοί οι δύο τύποι FET έχουν τα δικά τους χαρακτηριστικά και χρήσεις. Γενικά, το ενισχυμένο FET σε κυκλώματα υψηλής ταχύτητας και χαμηλής ισχύος είναι πολύ πολύτιμο. και αυτή η συσκευή λειτουργεί, είναι η πολικότητα της πόλωσης πύλης voltage και αποστράγγιση τάση του ίδιου, είναι πιο βολικό στο σχεδιασμό του κυκλώματος.

Τα λεγόμενα ενισχυμένα μέσα: όταν ο σωλήνας VGS = 0 είναι μια κατάσταση αποκοπής, συν το σωστό VGS, η πλειοψηφία των φορέων έλκεται προς την πύλη, «ενισχύοντας» έτσι τους φορείς στην περιοχή, σχηματίζοντας ένα αγώγιμο κανάλι. Το ενισχυμένο MOSFET n-καναλιών είναι βασικά μια συμμετρική τοπολογία αριστερά-δεξιά, η οποία είναι ο ημιαγωγός τύπου P για τη δημιουργία ενός στρώματος μόνωσης φιλμ SiO2. Δημιουργεί ένα μονωτικό στρώμα μεμβράνης SiO2 στον ημιαγωγό τύπου P και στη συνέχεια διαχέει δύο περιοχές τύπου Ν με υψηλή πρόσμειξηφωτολιθογραφία, και οδηγεί ηλεκτρόδια από την περιοχή τύπου Ν, ένα για την αποχέτευση D και ένα για την πηγή S. Ένα στρώμα από μέταλλο αλουμινίου επιστρώνεται στο μονωτικό στρώμα μεταξύ της πηγής και της αποχέτευσης ως πύλη G. Όταν VGS = 0 V , υπάρχουν αρκετές δίοδοι με διπλές διόδους μεταξύ της αποστράγγισης και της πηγής και η τάση μεταξύ D και S δεν σχηματίζει ρεύμα μεταξύ D και S. Το ρεύμα μεταξύ D και το S δεν σχηματίζεται από την τάση που εφαρμόζεται.

Όταν προστεθεί η τάση πύλης, εάν 0 < VGS < VGS(th), μέσω του χωρητικού ηλεκτρικού πεδίου που σχηματίζεται μεταξύ της πύλης και του υποστρώματος, οι οπές πολυονίου στον ημιαγωγό τύπου P κοντά στο κάτω μέρος της πύλης απωθούνται προς τα κάτω και εμφανίζεται ένα λεπτό στρώμα εξάντλησης αρνητικών ιόντων. Ταυτόχρονα, θα προσελκύσει τα ολίγονά του για να μετακινηθούν στο επιφανειακό στρώμα, αλλά ο αριθμός είναι περιορισμένος και ανεπαρκής για να σχηματίσει ένα αγώγιμο κανάλι που επικοινωνεί την αποχέτευση και την πηγή, επομένως εξακολουθεί να είναι ανεπαρκής για το σχηματισμό ID ρεύματος αποστράγγισης. περαιτέρω αύξηση VGS, όταν VGS > VGS (th) (VGS (th) ονομάζεται τάση ενεργοποίησης), επειδή αυτή τη στιγμή η τάση της πύλης ήταν σχετικά ισχυρή, στο επιφανειακό στρώμα ημιαγωγού τύπου P κοντά στο κάτω μέρος της πύλης κάτω από τη συγκέντρωση περισσότερων ηλεκτρόνια, μπορείτε να σχηματίσετε μια τάφρο, την αποχέτευση και την πηγή επικοινωνίας. Εάν προστεθεί η τάση της πηγής αποστράγγισης αυτή τη στιγμή, το ρεύμα αποστράγγισης μπορεί να σχηματιστεί ID. ηλεκτρόνια στο αγώγιμο κανάλι που σχηματίζεται κάτω από την πύλη, λόγω της φέρουσας οπής με την πολικότητα του ημιαγωγού τύπου P είναι αντίθετη, επομένως ονομάζεται στρώμα αντιτύπου. Καθώς το VGS συνεχίζει να αυξάνεται, το ID θα συνεχίσει να αυξάνεται. ID = 0 σε VGS = 0V, και το ρεύμα αποστράγγισης εμφανίζεται μόνο μετά το VGS > VGS(th), επομένως, αυτός ο τύπος MOSFET ονομάζεται MOSFET ενίσχυσης.

Η σχέση ελέγχου του VGS στο ρεύμα αποστράγγισης μπορεί να περιγραφεί από την καμπύλη iD = f(VGS(th))|VDS=const, η οποία ονομάζεται χαρακτηριστική καμπύλη μεταφοράς, και το μέγεθος της κλίσης της χαρακτηριστικής καμπύλης μεταφοράς, gm, αντανακλά τον έλεγχο του ρεύματος αποστράγγισης από την τάση της πηγής πύλης. το μέγεθος του gm είναι mA/V, επομένως το gm ονομάζεται επίσης διααγωγιμότητα.