WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Γενική Περιγραφή
Το WST8205 είναι ένα N-Ch MOSFET υψηλής απόδοσης με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, παρέχοντας εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες εφαρμογές μεταγωγής μικρής ισχύος και μεταγωγής φορτίου. Το WST8205 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product με πλήρη έγκριση λειτουργικής αξιοπιστίας.
Χαρακτηριστικά
Η προηγμένη τεχνολογία μας ενσωματώνει καινοτόμα χαρακτηριστικά που ξεχωρίζουν αυτή τη συσκευή από άλλες στην αγορά. Με χαρακώματα υψηλής πυκνότητας κυψελών, αυτή η τεχνολογία επιτρέπει μεγαλύτερη ενσωμάτωση εξαρτημάτων, οδηγώντας σε βελτιωμένη απόδοση και αποδοτικότητα. Ένα αξιοσημείωτο πλεονέκτημα αυτής της συσκευής είναι η εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης. Ως αποτέλεσμα, απαιτεί ελάχιστη ενέργεια για την εναλλαγή μεταξύ των καταστάσεων ενεργοποίησης και απενεργοποίησης, με αποτέλεσμα μειωμένη κατανάλωση ενέργειας και βελτιωμένη συνολική απόδοση. Αυτό το χαρακτηριστικό χαμηλής φόρτισης πύλης το καθιστά ιδανική επιλογή για εφαρμογές που απαιτούν εναλλαγή υψηλής ταχύτητας και ακριβή έλεγχο. Επιπλέον, η συσκευή μας υπερέχει στη μείωση των εφέ Cdv/dt. Το Cdv/dt, ή ο ρυθμός μεταβολής της τάσης αποστράγγισης προς πηγή με την πάροδο του χρόνου, μπορεί να προκαλέσει ανεπιθύμητες ενέργειες, όπως αιχμές τάσης και ηλεκτρομαγνητικές παρεμβολές. Με την αποτελεσματική ελαχιστοποίηση αυτών των επιπτώσεων, η συσκευή μας εξασφαλίζει αξιόπιστη και σταθερή λειτουργία, ακόμη και σε απαιτητικά και δυναμικά περιβάλλοντα. Εκτός από την τεχνική της ικανότητα, αυτή η συσκευή είναι επίσης φιλική προς το περιβάλλον. Έχει σχεδιαστεί με γνώμονα τη βιωσιμότητα, λαμβάνοντας υπόψη παράγοντες όπως η απόδοση ισχύος και η μακροζωία. Λειτουργώντας με μέγιστη ενεργειακή απόδοση, αυτή η συσκευή ελαχιστοποιεί το αποτύπωμα άνθρακα και συμβάλλει σε ένα πιο πράσινο μέλλον. Συνοπτικά, η συσκευή μας συνδυάζει προηγμένη τεχνολογία με χαρακώματα υψηλής πυκνότητας κυψελών, εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης και εξαιρετική μείωση των επιδράσεων Cdv/dt. Με τον φιλικό προς το περιβάλλον σχεδιασμό του, όχι μόνο προσφέρει ανώτερη απόδοση και αποδοτικότητα, αλλά και ευθυγραμμίζεται με την αυξανόμενη ανάγκη για βιώσιμες λύσεις στον σημερινό κόσμο.
Εφαρμογές
Σημείο φορτίου υψηλής συχνότητας Σύγχρονη Μικρή εναλλαγή ισχύος για δικτύωση MB/NB/UMPC/VGA Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC, ηλεκτρονικά αυτοκίνητα, φώτα LED, ήχος, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης, προστατευτικές πλακέτες.
αντίστοιχο αριθμό υλικού
AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.
Σημαντικές παράμετροι
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 20 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 4,5V1 | 5.8 | A |
| ID@Tc=70℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 4,5V1 | 3.8 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | 16 | A |
| PD@TA=25℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος3 | 2.1 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ID=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=4,5V , ID=5,5A | --- | 24 | 28 | mΩ |
| VGS=2,5V , ID=3,5A | --- | 30 | 45 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =250uA | 0,5 | 0,7 | 1.2 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας | --- | -2,33 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V , ID=5A | --- | 25 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.5 | 3 | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V) | VDS=10V , VGS=4,5V , ID=5,5A | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 1.4 | 2.0 | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 2.2 | 3.2 | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=10V , VGEN=4,5V , RG=6Ω ID=5A, RL=10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 34 | 63 | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 22 | 46 | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 9.0 | 18.4 | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 625 | 889 | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 69 | 98 | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 61 | 88 |
