WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

Σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WST4041

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:-6Α

Κανάλι:P-Channel

Πακέτο:SOT-23-3L

Περίληψη προϊόντος:Το WST4041 MOSFET έχει τάση -40V, ρεύμα -6A, αντίσταση 30mΩ, P-Channel και συσκευασία SOT-23-3L.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικροσυσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική περιγραφή

Το WST4041 είναι ένα ισχυρό MOSFET καναλιού P που έχει σχεδιαστεί για χρήση σε σύγχρονους μετατροπείς buck.Έχει υψηλή πυκνότητα κυψελών που επιτρέπει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης.Το WST4041 πληροί τις απαιτήσεις για τα πρότυπα RoHS και Green Product και συνοδεύεται από 100% εγγύηση EAS για αξιόπιστη απόδοση.

Χαρακτηριστικά

Η προηγμένη τεχνολογία Trench διαθέτει υψηλή πυκνότητα κυψελών και εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, μειώνοντας σημαντικά το φαινόμενο CdV/dt.Οι συσκευές μας διαθέτουν 100% εγγύηση EAS και φιλικές προς το περιβάλλον επιλογές.

Εφαρμογές

Σύγχρονος μετατροπέας buck σημείου φορτίου υψηλής συχνότητας, σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ελεγκτές, ψηφιακές συσκευές, μικρές οικιακές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	-40	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-6,0	A
ID@TC=100℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-4,5	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	-24	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3	12	mJ
IAS	Ρεύμα χιονοστιβάδας	-7	A
PD@TC=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	1.4	W
TSTG	Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγιστη.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=-1mA	---	-0,03	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=-10V , ID=-3A	---	30	40	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=-4,5V, ID=-1A	---	40	58	mΩ
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =-250uA	-0,8	-1.2	-2.2	V
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας	VGS=VDS , ID =-250uA	---	4.56	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=-28V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=-28V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=-5V, ID=-3A	---	15	---	S
Rg	Αντίσταση πύλης	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.8	---	Ω
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V)	VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A	---	9.5	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	1.7	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	2.0	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A , RL=15Ω	---	8	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	10	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	18	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	8	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	420	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	77	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	55	---