WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:3,8Α/-4,5Α

Κανάλι:Κανάλι N&P

Πακέτο:SOT-23-6L

Περίληψη προϊόντος:Το WST2078 MOSFET έχει ονομαστικές τιμές τάσης 20V και -20V. Μπορεί να διαχειριστεί ρεύματα 3,8A και -4,5A και έχει τιμές αντίστασης 45mΩ και 65mΩ. Το MOSFET έχει και τις δύο δυνατότητες N&P Channel και διατίθεται σε συσκευασία SOT-23-6L.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WST2078 είναι το καλύτερο MOSFET για μικρούς διακόπτες ισχύος και εφαρμογές φορτίου. Έχει υψηλή πυκνότητα κυψελών που παρέχει εξαιρετικό RDSON και φόρτιση πύλης. Πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product και έχει εγκριθεί για πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη τεχνολογία με χαρακώματα υψηλής πυκνότητας κυψελών, εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης και εξαιρετική μείωση των επιδράσεων Cdv/dt. Αυτή η συσκευή είναι επίσης φιλική προς το περιβάλλον.

Εφαρμογές

Ο σύγχρονος διακόπτης μικρής ισχύος υψηλής συχνότητας σημείου φορτίου είναι ιδανικός για χρήση σε MB/NB/UMPC/VGA, δικτύωση συστημάτων ισχύος DC-DC, διακόπτες φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές και καταναλωτές ηλεκτρονική.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση		Μονάδες
Σύμβολο	Παράμετρος	N-Channel	P-Channel	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	20	-20	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 4,5V1	3.8	-4,5	A
ID@Tc=70℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 4,5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος3	1.4	1.4	W
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 150	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	-55 έως 150	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=4,5V , ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2,5V , ID=1A	---	60	80
		VGS=1,8V , ID=1A	---	85	120
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας	VGS=VDS , ID =250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Αντίσταση πύλης	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V)	VDS=10V , VGS=10V , ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	1.5	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	2.1	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=10V , VGEN=4,5V , RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	13	23
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	15	28
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	3	5.5
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	51	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	52	---