WST2011 Dual P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Γενική περιγραφή
Τα MOSFET WST2011 είναι τα πιο προηγμένα τρανζίστορ P-ch διαθέσιμα, με ασυναγώνιστη πυκνότητα κυψελών.Προσφέρουν εξαιρετικές επιδόσεις, με χαμηλή φόρτιση RDSON και πύλη, καθιστώντας τα ιδανικά για μικρές εφαρμογές μεταγωγής ισχύος και διακόπτες φορτίου.Επιπλέον, το WST2011 πληροί τα πρότυπα RoHS και Green Product και διαθέτει έγκριση αξιοπιστίας πλήρους λειτουργίας.
Χαρακτηριστικά
Η προηγμένη τεχνολογία Trench επιτρέπει μεγαλύτερη πυκνότητα κυψελών, με αποτέλεσμα μια πράσινη συσκευή με εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης και εξαιρετική μείωση του αποτελέσματος CdV/dt.
Εφαρμογές
Ο σύγχρονος διακόπτης μικρής ισχύος σημείου φορτίου υψηλής συχνότητας είναι κατάλληλος για χρήση σε MB/NB/UMPC/VGA, δικτύωση συστημάτων ισχύος DC-DC, διακόπτες φορτίου, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης .
αντίστοιχο αριθμό υλικού
ΣΕ FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,
Σημαντικές παράμετροι
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες | |
| 10s | Σταθερή κατάσταση | |||
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | -20 | V | |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -4,5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -4,5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ | |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ | |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγιστη. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =-250uA | -0,5 | -1,0 | -1,5 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=-15V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 68 | --- |
