WSR200N08 Ν-κανάλι 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

προϊόντα

WSR200N08 Ν-κανάλι 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

σύντομη περιγραφή:


  • Αριθμός μοντέλου:WSR200N08
  • BVDSS:80V
  • RDSON:2,9 mΩ
  • ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:200Α
  • Κανάλι:Ν-κανάλι
  • Πακέτο:TO-220-3L
  • Περίληψη προϊόντος:Το WSR200N08 MOSFET μπορεί να χειριστεί έως και 80 βολτ και 200 ​​αμπέρ με αντίσταση 2,9 milliohms. Είναι συσκευή Ν καναλιών και διατίθεται σε συσκευασία TO-220-3L.
  • Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, συστήματα διαχείρισης μπαταριών, εφεδρικές πηγές ενέργειας, μη επανδρωμένα εναέρια οχήματα, συσκευές υγειονομικής περίθαλψης, εξοπλισμός φόρτισης ηλεκτρικών οχημάτων, μονάδες ελέγχου, μηχανές τρισδιάστατης εκτύπωσης, ηλεκτρονικές συσκευές, μικρές οικιακές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.
  • Λεπτομέρεια προϊόντος

    Εφαρμογή

    Ετικέτες προϊόντων

    Γενική Περιγραφή

    Το WSR200N08 είναι το N-Ch MOSFET υψηλής απόδοσης με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, το οποίο παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck. Το WSR200N08 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product, 100% εγγυημένο EAS με εγκεκριμένη πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.

    Χαρακτηριστικά

    Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, Super Low Gate Charge, Εξαιρετική μείωση του εφέ CdV/dt, 100% Εγγύηση EAS, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή.

    Εφαρμογές

    Εφαρμογή μεταγωγής, Διαχείριση ισχύος για συστήματα Inverter, Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, BMS, τροφοδοτικά έκτακτης ανάγκης, drones, ιατρικά, φόρτιση αυτοκινήτου, ελεγκτές, 3D εκτυπωτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης κ.λπ.

    αντίστοιχο αριθμό υλικού

    AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, κ.λπ.

    Σημαντικές παράμετροι

    Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TJ=25℃, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά)

    Σύμβολο Παράμετρος Εκτίμηση Μονάδες
    VDS Τάση πηγής αποστράγγισης 80 V
    VGS Πύλη-Τάση πηγής ±25 V
    ID@TC=25℃ Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 200 A
    ID@TC=100℃ Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 144 A
    IDM Ρεύμα παλμικής αποστράγγισης2,TC=25°C 790 A
    ΕΑΣ Ενέργεια χιονοστιβάδας, Μονός παλμός, L=0,5mH 1496 mJ
    IAS Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός, L=0,5 mH 200 A
    PD@TC=25℃ Ολική Απώλεια Ισχύος4 345 W
    PD@TC=100℃ Ολική Απώλεια Ισχύος4 173 W
    TSTG Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης -55 έως 175
    TJ Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας 175
    Σύμβολο Παράμετρος Συνθήκες Ελάχ. Τυπ. Μέγ. Μονάδα
    BVDSS Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης VGS=0V , ID=250uA 80 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS Αναφορά σε 25℃, ID=1mA --- 0,096 --- V/℃
    RDS(ON) Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 VGS=10V,ID=100A --- 2.9 3.5
    VGS(ο) Τάση κατωφλίου πύλης VGS=VDS , ID =250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(ο) VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας --- -5,5 --- mV/℃
    IDSS Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής VGS=±25V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Αντίσταση πύλης VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 3.2 --- Ω
    Qg Συνολική φόρτιση πύλης (10V) VDS=80V , VGS=10V , ID=30A --- 197 --- nC
    Qgs Χρέωση Πύλης-Πηγής --- 31 ---
    Qgd Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης --- 75 ---
    Td(on) Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης VDD=50V , VGS=10V ,RG=3Ω, ID=30A --- 28 --- ns
    Tr Ώρα ανόδου --- 18 ---
    Td(off) Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης --- 42 ---
    Tf Φθινοπωρινή ώρα --- 54 ---
    Ciss Χωρητικότητα εισόδου VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 8154 --- pF
    Coss Χωρητικότητα εξόδου --- 1029 ---
    Crss Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς --- 650 ---

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς