WSR200N08 Ν-κανάλι 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET
Γενική περιγραφή
Το WSR200N08 είναι το N-Ch MOSFET υψηλής απόδοσης με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, το οποίο παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck.Το WSR200N08 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product, 100% εγγυημένο EAS με εγκεκριμένη πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.
Χαρακτηριστικά
Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, Super Low Gate Charge, Εξαιρετική μείωση του εφέ CdV/dt, 100% Εγγύηση EAS, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή.
Εφαρμογές
Εφαρμογή μεταγωγής, Διαχείριση ενέργειας για συστήματα Inverter, Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, BMS, τροφοδοτικά έκτακτης ανάγκης, drones, ιατρικά, φόρτιση αυτοκινήτου, ελεγκτές, 3D εκτυπωτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης κ.λπ.
αντίστοιχο αριθμό υλικού
AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, κ.λπ.
Σημαντικές παράμετροι
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TJ=25℃, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά)
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 80 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 | 200 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 | 144 | A |
| IDM | Ρεύμα παλμικής αποστράγγισης2,TC=25°C | 790 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας, Μονός παλμός, L=0,5mH | 1496 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός, L=0,5 mH | 200 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος4 | 345 | W |
| PD@TC=100℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος4 | 173 | W |
| TSTG | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | -55 έως 175 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | 175 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγιστη. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V,ID=100A | --- | 2.9 | 3.5 | mΩ |
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (10V) | VDS=80V , VGS=10V , ID=30A | --- | 197 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 31 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 75 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=50V , VGS=10V ,RG=3Ω, ID=30A | --- | 28 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 18 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 42 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 54 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8154 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 1029 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 650 | --- |
