WSR140N12 N-κανάλι 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

Σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSR140N12

BVDSS:120V

RDSON:5mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:140Α

Κανάλι:Ν-κανάλι

Πακέτο:TO-220-3L

Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSR140N12 MOSFET είναι 120V, το ρεύμα είναι 140A, η αντίσταση είναι 5mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι TO-220-3L.

Εφαρμογές:Τροφοδοτικό, ιατρικές, μεγάλες συσκευές, BMS κ.λπ.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική περιγραφή

Το WSR140N12 είναι το N-ch MOSFET υψηλής απόδοσης με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, το οποίο παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες από τις εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck.Το WSR140N12 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product, 100% εγγυημένη EAS με εγκεκριμένη πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, Super Low Gate Charge, Εξαιρετική μείωση του εφέ CdV/dt, 100% Εγγύηση EAS, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή.

Εφαρμογές

Σύγχρονος μετατροπέας buck σημείου φορτίου υψηλής συχνότητας, σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, τροφοδοτικό, ιατρικές συσκευές, μεγάλες συσκευές, BMS κ.λπ.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

ST STP40NF12 κ.λπ.

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	120	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V (TC=25℃)	140	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης	330	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού	400	mJ
PD	Συνολική απαγωγή ισχύος... C=25℃)	192	W
RθJA	Θερμική αντίσταση, διασταύρωση-περιβάλλον	62	℃/Δ
RθJC	Θερμική αντίσταση, θήκη διασταύρωσης	0,65	℃/Δ
TSTG	Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγιστη.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=250uA	120	---	---	V
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=10V , ID=30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=120V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Συνολική χρέωση πύλης	VDS=50V , VGS=10V , ID=15A	---	68,9	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	18.1	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	15.9	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=50V , VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	33.0	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	59,5	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	11.7	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz	---	5823	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	778,3	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	17.5	---