WSR140N12 N-κανάλι 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

προϊόντα

WSR140N12 N-κανάλι 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

σύντομη περιγραφή:


  • Αριθμός μοντέλου:WSR140N12
  • BVDSS:120V
  • RDSON:5mΩ
  • ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:140Α
  • Κανάλι:Ν-κανάλι
  • Πακέτο:TO-220-3L
  • Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSR140N12 MOSFET είναι 120V, το ρεύμα είναι 140A, η αντίσταση είναι 5mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι TO-220-3L.
  • Εφαρμογές:Τροφοδοτικό, ιατρικές, μεγάλες συσκευές, BMS κ.λπ.
  • Λεπτομέρεια προϊόντος

    Εφαρμογή

    Ετικέτες προϊόντων

    Γενική Περιγραφή

    Το WSR140N12 είναι το N-ch MOSFET υψηλής απόδοσης με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, το οποίο παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες από τις εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck. Το WSR140N12 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product, 100% εγγυημένη EAS με εγκεκριμένη πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.

    Χαρακτηριστικά

    Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, Super Low Gate Charge, Εξαιρετική μείωση του εφέ CdV/dt, 100% Εγγύηση EAS, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή.

    Εφαρμογές

    Σύγχρονος μετατροπέας buck σημείου φορτίου υψηλής συχνότητας, σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, τροφοδοτικό, ιατρικές συσκευές, μεγάλες συσκευές, BMS κ.λπ.

    αντίστοιχο αριθμό υλικού

    ST STP40NF12 κ.λπ.

    Σημαντικές παράμετροι

    Σύμβολο Παράμετρος Εκτίμηση Μονάδες
    VDS Τάση πηγής αποστράγγισης 120 V
    VGS Πύλη-Τάση πηγής ±20 V
    ID Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V (TC=25℃) 140 A
    IDM Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης 330 A
    ΕΑΣ Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού 400 mJ
    PD Συνολική απαγωγή ισχύος... C=25℃) 192 W
    RθJA Θερμική αντίσταση, διασταύρωση-περιβάλλον 62 ℃/Δ
    RθJC Θερμική αντίσταση, θήκη διασταύρωσης 0,65 ℃/Δ
    TSTG Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης -55 έως 150
    TJ Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας -55 έως 150
    Σύμβολο Παράμετρος Συνθήκες Ελάχ. Τυπ. Μέγ. Μονάδα
    BVDSS Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης VGS=0V , ID=250uA 120 --- --- V
    RDS(ON) Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 VGS=10V , ID=30A --- 5.0 6.5
    VGS(ο) Τάση κατωφλίου πύλης VGS=VDS , ID =250uA 2.0 --- 4.0 V
    IDSS Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης VDS=120V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IGSS Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Qg Συνολική χρέωση πύλης VDS=50V , VGS=10V , ID=15A --- 68,9 --- nC
    Qgs Χρέωση Πύλης-Πηγής --- 18.1 ---
    Qgd Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης --- 15.9 ---
    Td(on) Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης VDD=50V , VGS=10VRG=2Ω,ID=25A --- 30.3 --- ns
    Tr Ώρα ανόδου --- 33.0 ---
    Td(off) Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης --- 59,5 ---
    Tf Φθινοπωρινή ώρα --- 11.7 ---
    Ciss Χωρητικότητα εισόδου VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz --- 5823 --- pF
    Coss Χωρητικότητα εξόδου --- 778,3 ---
    Crss Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς --- 17.5 ---

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς