WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Γενική Περιγραφή
Τα MOSFET WSP6067A είναι τα πιο προηγμένα για την τεχνολογία trench P-ch, με πολύ υψηλή πυκνότητα κυψελών. Παρέχουν εξαιρετική απόδοση τόσο όσον αφορά τη φόρτιση RDSON όσο και τη φόρτιση πύλης, κατάλληλα για τους περισσότερους σύγχρονους μετατροπείς buck. Αυτά τα MOSFET πληρούν τα κριτήρια RoHS και Green Product, με 100% EAS που εγγυάται πλήρη λειτουργική αξιοπιστία.
Χαρακτηριστικά
Η προηγμένη τεχνολογία επιτρέπει τον σχηματισμό τάφρων κυψελών υψηλής πυκνότητας, με αποτέλεσμα εξαιρετικά χαμηλό φορτίο πύλης και ανώτερη αποσύνθεση του φαινομένου CdV/dt. Οι συσκευές μας συνοδεύονται από 100% εγγύηση EAS και είναι φιλικές προς το περιβάλλον.
Εφαρμογές
Σύγχρονος μετατροπέας Buck Point-of-Load υψηλής συχνότητας, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρικός εξοπλισμός, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ηλεκτρονικές συσκευές, μικρές οικιακές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης .
αντίστοιχο αριθμό υλικού
AOS
Σημαντικές παράμετροι
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες | |
| N-Channel | P-Channel | |||
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 60 | -60 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 | 7.0 | -5,0 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 | 4.0 | -2,5 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | 28 | -20 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 | 22 | 28 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | 21 | -24 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος4 | 2.0 | 2.0 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V , ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
| VGS=4,5V , ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =250uA | 1 | 2 | 3 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V , ID=4A | --- | 28 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V) | VDS=48V , VGS=4,5V , ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 2.6 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 4.1 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 3 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 34 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 23 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 65 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 45 | --- |
