WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

Σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:7Α/-5Α

Κανάλι:N&P-Channel

Πακέτο:SOP-8

Περίληψη προϊόντος:Το WSP6067A MOSFET έχει εύρος τάσης 60 βολτ θετικό και αρνητικό, εύρος ρεύματος 7 αμπέρ θετικό και 5 αμπέρ αρνητικό, εύρος αντίστασης 38 milliohms και 80 milliohms, N&P-Channel και είναι συσκευασμένο σε SOP-8.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, drones, υγειονομική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, χειριστήρια, ψηφιακές συσκευές, μικρές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη για τους καταναλωτές.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική περιγραφή

Τα MOSFET WSP6067A είναι τα πιο προηγμένα για την τεχνολογία trench P-ch, με πολύ υψηλή πυκνότητα κυψελών.Παρέχουν εξαιρετική απόδοση τόσο όσον αφορά τη φόρτιση RDSON όσο και τη φόρτιση πύλης, κατάλληλα για τους περισσότερους σύγχρονους μετατροπείς buck.Αυτά τα MOSFET πληρούν τα κριτήρια RoHS και Green Product, με 100% EAS που εγγυάται πλήρη λειτουργική αξιοπιστία.

Χαρακτηριστικά

Η προηγμένη τεχνολογία επιτρέπει τον σχηματισμό τάφρων κυψελών υψηλής πυκνότητας, με αποτέλεσμα εξαιρετικά χαμηλό φορτίο πύλης και ανώτερη αποσύνθεση του φαινομένου CdV/dt.Οι συσκευές μας συνοδεύονται από 100% εγγύηση EAS και είναι φιλικές προς το περιβάλλον.

Εφαρμογές

Σύγχρονος μετατροπέας Buck Point-of-Load υψηλής συχνότητας, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρικός εξοπλισμός, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ηλεκτρονικές συσκευές, μικρές οικιακές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης .

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση		Μονάδες
Σύμβολο	Παράμετρος	N-Channel	P-Channel	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	60	-60	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1	7.0	-5,0	A
ID@TC=100℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1	4.0	-2,5	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	28	-20	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3	22	28	mJ
IAS	Ρεύμα χιονοστιβάδας	21	-24	A
PD@TC=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	2.0	2.0	W
TSTG	Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης	-55 έως 150	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	-55 έως 150	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγιστη.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=10V , ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=4,5V , ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =250uA	1	2	3	V
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5,24	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=5V , ID=4A	---	28	---	S
Rg	Αντίσταση πύλης	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V)	VDS=48V , VGS=4,5V , ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	2.6	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	4.1	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	34	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	23	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	6	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	65	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	45	---