WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

προϊόντα

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

Σύντομη περιγραφή:


  • Αριθμός μοντέλου:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:9,8Α
  • Κανάλι:Διπλό Ν-Κανάλι
  • Πακέτο:SOP-8
  • Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSP4888 MOSFET είναι 30V, το ρεύμα είναι 9,8A, η αντίσταση είναι 13,5mΩ, το κανάλι είναι Dual N-Channel και η συσκευασία είναι SOP-8.
  • Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, drones, υγειονομική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, χειριστήρια, ψηφιακές συσκευές, μικρές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη για τους καταναλωτές.
  • Λεπτομέρεια προϊόντος

    Εφαρμογή

    Ετικέτες προϊόντων

    Γενική περιγραφή

    Το WSP4888 είναι ένα τρανζίστορ υψηλής απόδοσης με πυκνή δομή κυψέλης, ιδανικό για χρήση σε σύγχρονους μετατροπείς buck.Διαθέτει εξαιρετικές χρεώσεις RDSON και πύλης, καθιστώντας το κορυφαία επιλογή για αυτές τις εφαρμογές.Επιπλέον, το WSP4888 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product και συνοδεύεται από 100% εγγύηση EAS για αξιόπιστη λειτουργία.

    Χαρακτηριστικά

    Η προηγμένη τεχνολογία Trench διαθέτει υψηλή πυκνότητα κυψελών και εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, μειώνοντας σημαντικά το φαινόμενο CdV/dt.Οι συσκευές μας διαθέτουν 100% εγγύηση EAS και φιλικές προς το περιβάλλον επιλογές.

    Τα MOSFET μας υποβάλλονται σε αυστηρά μέτρα ποιοτικού ελέγχου για να διασφαλιστεί ότι πληρούν τα υψηλότερα βιομηχανικά πρότυπα.Κάθε μονάδα ελέγχεται διεξοδικά για απόδοση, ανθεκτικότητα και αξιοπιστία, εξασφαλίζοντας μεγάλη διάρκεια ζωής του προϊόντος.Ο στιβαρός σχεδιασμός του επιτρέπει να αντέχει σε ακραίες συνθήκες εργασίας, εξασφαλίζοντας αδιάλειπτη λειτουργικότητα του εξοπλισμού.

    Ανταγωνιστική τιμολόγηση: Παρά την ανώτερη ποιότητά τους, τα MOSFET μας έχουν υψηλή ανταγωνιστική τιμή, παρέχοντας σημαντική εξοικονόμηση κόστους χωρίς συμβιβασμούς στην απόδοση.Πιστεύουμε ότι όλοι οι καταναλωτές πρέπει να έχουν πρόσβαση σε προϊόντα υψηλής ποιότητας και η στρατηγική τιμολόγησης μας αντανακλά αυτή τη δέσμευση.

    Ευρεία συμβατότητα: Τα MOSFET μας είναι συμβατά με μια ποικιλία ηλεκτρονικών συστημάτων, καθιστώντας τα μια ευέλικτη επιλογή για κατασκευαστές και τελικούς χρήστες.Ενσωματώνεται απρόσκοπτα σε υπάρχοντα συστήματα, βελτιώνοντας τη συνολική απόδοση χωρίς να απαιτεί σημαντικές τροποποιήσεις σχεδιασμού.

    Εφαρμογές

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter για χρήση σε συστήματα MB/NB/UMPC/VGA, Συστήματα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, διακόπτες φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, drones, ιατρικός εξοπλισμός, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές , Ψηφιακά Προϊόντα, Μικρές Οικιακές Συσκευές και Καταναλωτικά Ηλεκτρονικά.

    αντίστοιχο αριθμό υλικού

    AOS AO4832 AO4838 AO4914, ON NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H

    Σημαντικές παράμετροι

    Σύμβολο Παράμετρος Εκτίμηση Μονάδες
    VDS Τάση πηγής αποστράγγισης 30 V
    VGS Πύλη-Τάση πηγής ±20 V
    ID@TC=25℃ Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 45 A
    ΕΑΣ Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 25 mJ
    IAS Ρεύμα χιονοστιβάδας 12 A
    PD@TA=25℃ Ολική Απώλεια Ισχύος4 2.0 W
    TSTG Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης -55 έως 150
    TJ Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας -55 έως 150
    Σύμβολο Παράμετρος Συνθήκες Ελάχ. Τυπ. Μέγιστη. Μονάδα
    BVDSS Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS Αναφορά σε 25℃, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS(ON) Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 VGS=10V , ID=8,5A --- 13.5 18
           
        VGS=4,5V , ID=5A --- 18 25  
    VGS(ο) Τάση κατωφλίου πύλης VGS=VDS , ID =250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(ο) VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας   --- -5,8 --- mV/℃
    IDSS Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Αντίσταση πύλης VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V) VDS=15V , VGS=4,5V , ID=8,8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Χρέωση Πύλης-Πηγής --- 1.5 ---
    Qgd Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης --- 2.5 ---
    Td(on) Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Ώρα ανόδου --- 9.2 19
    Td(off) Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης --- 19 34
    Tf Φθινοπωρινή ώρα --- 4.2 8
    Ciss Χωρητικότητα εισόδου VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Χωρητικότητα εξόδου --- 98 112
    Crss Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς --- 59 91

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενο:

  • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς