WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

WSP4888 Διπλό N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET Επιλεγμένη εικόνα

σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSP4888

BVDSS:30V

RDSON:13,5 mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:9,8Α

Κανάλι:Διπλό Ν-Κανάλι

Πακέτο:SOP-8

Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSP4888 MOSFET είναι 30V, το ρεύμα είναι 9,8A, η αντίσταση είναι 13,5mΩ, το κανάλι είναι Dual N-Channel και η συσκευασία είναι SOP-8.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, drones, υγειονομική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, χειριστήρια, ψηφιακές συσκευές, μικρές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη για τους καταναλωτές.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WSP4888 είναι ένα τρανζίστορ υψηλής απόδοσης με πυκνή δομή κυψέλης, ιδανικό για χρήση σε σύγχρονους μετατροπείς buck. Διαθέτει εξαιρετικές χρεώσεις RDSON και πύλης, καθιστώντας το κορυφαία επιλογή για αυτές τις εφαρμογές. Επιπλέον, το WSP4888 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product και συνοδεύεται από 100% εγγύηση EAS για αξιόπιστη λειτουργία.

Χαρακτηριστικά

Η προηγμένη τεχνολογία Trench διαθέτει υψηλή πυκνότητα κυψελών και εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, μειώνοντας σημαντικά το φαινόμενο CdV/dt. Οι συσκευές μας διαθέτουν 100% εγγύηση EAS και φιλικές προς το περιβάλλον επιλογές.

Τα MOSFET μας υποβάλλονται σε αυστηρά μέτρα ποιοτικού ελέγχου για να διασφαλιστεί ότι πληρούν τα υψηλότερα βιομηχανικά πρότυπα. Κάθε μονάδα ελέγχεται διεξοδικά για απόδοση, ανθεκτικότητα και αξιοπιστία, εξασφαλίζοντας μεγάλη διάρκεια ζωής του προϊόντος. Ο στιβαρός σχεδιασμός του του επιτρέπει να αντέχει σε ακραίες συνθήκες εργασίας, εξασφαλίζοντας αδιάλειπτη λειτουργικότητα του εξοπλισμού.

Ανταγωνιστική τιμολόγηση: Παρά την ανώτερη ποιότητά τους, τα MOSFET μας έχουν υψηλή ανταγωνιστική τιμή, παρέχοντας σημαντική εξοικονόμηση κόστους χωρίς συμβιβασμούς στην απόδοση. Πιστεύουμε ότι όλοι οι καταναλωτές πρέπει να έχουν πρόσβαση σε προϊόντα υψηλής ποιότητας και η στρατηγική τιμολόγησης μας αντανακλά αυτή τη δέσμευση.

Ευρεία συμβατότητα: Τα MOSFET μας είναι συμβατά με μια ποικιλία ηλεκτρονικών συστημάτων, καθιστώντας τα μια ευέλικτη επιλογή για κατασκευαστές και τελικούς χρήστες. Ενσωματώνεται απρόσκοπτα σε υπάρχοντα συστήματα, βελτιώνοντας τη συνολική απόδοση χωρίς να απαιτούνται σημαντικές τροποποιήσεις σχεδιασμού.

Εφαρμογές

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter για χρήση σε συστήματα MB/NB/UMPC/VGA, Συστήματα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, διακόπτες φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, drones, ιατρικός εξοπλισμός, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές , Ψηφιακά Προϊόντα, Μικρές Οικιακές Συσκευές και Καταναλωτικά Ηλεκτρονικά.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS AO4832 AO4838 AO4914, ON NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	30	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1	9.8	A
ID@TC=70℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1	8.0	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	45	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3	25	mJ
IAS	Ρεύμα χιονοστιβάδας	12	A
PD@TA=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	2.0	W
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=1mA	---	0,034	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=10V , ID=8,5A	---	13.5	18	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2					mΩ
		VGS=4,5V , ID=5A	---	18	25
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =250uA	1.5	1.8	2.5	V
		VGS=VDS , ID =250uA
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας		---	-5,8	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης					uA
		VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=5V, ID=8A	---	9	---	S
Rg	Αντίσταση πύλης	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.8	2.9	Ω
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V)	VDS=15V , VGS=4,5V , ID=8,8A	---	6	8.4	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	1.5	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	2.5	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω ID=1A,RL=15Ω	---	7.5	9.8	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	9.2	19
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	19	34
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	4.2	8
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	701	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	98	112
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	59	91