WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

Σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:-11Α

Κανάλι:P-Channel

Πακέτο:SOP-8

Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSP4447 MOSFET είναι -40V, το ρεύμα είναι -11A, η αντίσταση είναι 13mΩ, το κανάλι είναι P-Channel και η συσκευασία είναι SOP-8.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, drones, ιατρικές συσκευές, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικροσυσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική περιγραφή

Το WSP4447 είναι ένα MOSFET κορυφαίας απόδοσης που χρησιμοποιεί τεχνολογία τάφρων και έχει υψηλή πυκνότητα κυψελών.Προσφέρει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης, καθιστώντας το κατάλληλο για χρήση στις περισσότερες εφαρμογές μετατροπέων συγχρονισμού buck.Το WSP4447 πληροί τα πρότυπα RoHS και Green Product και συνοδεύεται από 100% εγγύηση EAS για πλήρη αξιοπιστία.

Χαρακτηριστικά

Η προηγμένη τεχνολογία Trench επιτρέπει μεγαλύτερη πυκνότητα κυψελών, με αποτέλεσμα μια πράσινη συσκευή με εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης και εξαιρετική μείωση του αποτελέσματος CdV/dt.

Εφαρμογές

Μετατροπέας υψηλών συχνοτήτων για μια ποικιλία ηλεκτρονικών
Αυτός ο μετατροπέας έχει σχεδιαστεί για να τροφοδοτεί αποτελεσματικά ένα ευρύ φάσμα συσκευών, όπως φορητούς υπολογιστές, κονσόλες παιχνιδιών, εξοπλισμό δικτύου, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματους φορτιστές, κινητήρες, drones, ιατρικές συσκευές, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές και καταναλωτές ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΙΔΗ.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	-40	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID@TA=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-9,0	A
IDM α	Ρεύμα παλμικής αποστράγγισης 300μs (VGS=-10V)	-44	A
ΕΑΣ β	Ενέργεια χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός (L=0,1 mH)	54	mJ
ΔΛΠ β	Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός (L=0,1 mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	2.0	W
TSTG	Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγιστη.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=-10V, ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2					mΩ
		VGS=-4,5V, ID=-5A	---	18	26
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =-250uA	-1.4	-1,9	-2.4	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης					uA
		VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=-5V, ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V)	VDS=-20V , VGS=-10V , ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	5.2	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	8	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	12	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	41	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	22	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	235	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	180	---