WSP4099 Dual P-Channel -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Γενική περιγραφή
Το WSP4099 είναι ένα ισχυρό MOSFET P-ch trench με υψηλή πυκνότητα κυψελών.Παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης, καθιστώντας το κατάλληλο για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονων μετατροπέων buck.Πληροί τα πρότυπα RoHS και GreenProduct και έχει 100% εγγύηση EAS με πλήρη έγκριση αξιοπιστίας λειτουργίας.
Χαρακτηριστικά
Η προηγμένη τεχνολογία Trench με υψηλή πυκνότητα κυψελών, εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, εξαιρετική αποσύνθεση του φαινομένου CdV/dt και 100% εγγύηση EAS είναι όλα τα χαρακτηριστικά των πράσινων συσκευών μας που είναι άμεσα διαθέσιμα.
Εφαρμογές
Σύγχρονος μετατροπέας Buck Point-of-Load υψηλής συχνότητας για MB/NB/UMPC/VGA, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC, Διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτου, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα , μικρές οικιακές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.
αντίστοιχο αριθμό υλικού
ΣΕ FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.
Σημαντικές παράμετροι
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | -40 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | -22 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 | 25 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος4 | 2.0 | W |
| TSTG | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγιστη. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=-10V, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5V , ID=-4,5A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =-250uA | -1,5 | -2,0 | -2,5 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας | --- | 3.72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V) | VDS=-20V , VGS=-4,5V , ID=-6,5A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 7 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 72 | --- |
