WSP4099 Dual P-Channel -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSP4099

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:-6,5Α

Κανάλι:Διπλό P-Channel

Πακέτο:SOP-8

Περίληψη προϊόντος:Το WSP4099 MOSFET έχει τάση -40V, ρεύμα -6,5A, αντίσταση 30mΩ, Dual P-Channel και διατίθεται σε συσκευασία SOP-8.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρικά, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικροσυσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WSP4099 είναι ένα ισχυρό MOSFET P-ch trench με υψηλή πυκνότητα κυψελών. Παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης, καθιστώντας το κατάλληλο για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονων μετατροπέων buck. Πληροί τα πρότυπα RoHS και GreenProduct και έχει 100% εγγύηση EAS με πλήρη έγκριση αξιοπιστίας λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Η προηγμένη τεχνολογία Trench με υψηλή πυκνότητα κυψελών, εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, εξαιρετική αποσύνθεση του φαινομένου CdV/dt και 100% εγγύηση EAS είναι όλα τα χαρακτηριστικά των πράσινων συσκευών μας που είναι άμεσα διαθέσιμα.

Εφαρμογές

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter για MB/NB/UMPC/VGA, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, Διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτου, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα , μικρές οικιακές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

ΣΕ FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H.

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	-40	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, -VGS @ -10V1	-4,5	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	-22	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3	25	mJ
IAS	Ρεύμα χιονοστιβάδας	-10	A
PD@TC=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	2.0	W
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=-10V, ID=-6,5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=-4,5V , ID=-4,5A	---	46	62	mΩ
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =-250uA	-1,5	-2,0	-2,5	V
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας	VGS=VDS , ID =-250uA	---	3.72	---	V/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V)	VDS=-20V , VGS=-4,5V , ID=-6,5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	2.4	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	3.5	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	7	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	31	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	17	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	98	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	72	---