WSM340N10G Ν-κανάλι 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET

WSM340N10G N-κανάλι 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET Επιλεγμένη εικόνα

σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSM340N10G

BVDSS:100V

RDSON:1,6 mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:340Α

Κανάλι:Ν-κανάλι

Πακέτο:TOLL-8L

Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSM340N10G MOSFET είναι 100V, το ρεύμα είναι 340A, η αντίσταση είναι 1,6mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι TOLL-8L.

Εφαρμογές:Ιατρικός εξοπλισμός, drones, τροφοδοτικά PD, τροφοδοτικά LED, βιομηχανικός εξοπλισμός κ.λπ.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WSM340N10G είναι το N-Ch MOSFET υψηλής απόδοσης με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, το οποίο παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck. Το WSM340N10G πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product, 100% εγγυημένο EAS με εγκεκριμένη πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, Super Low Gate Charge, Εξαιρετική μείωση του αποτελέσματος CdV/dt, 100% Εγγύηση EAS, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή.

Εφαρμογές

Σύγχρονη διόρθωση, Μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης φόρτωσης, Ιατρικός εξοπλισμός, drones, τροφοδοτικά PD, τροφοδοτικά LED, βιομηχανικός εξοπλισμός κ.λπ.

Σημαντικές παράμετροι

Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	100	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V	230	A
IDM	Ρεύμα παλμικής αποστράγγισης..TC=25°C	1150	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας, Μονός παλμός, L=0,5mH	1800	mJ
IAS	Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός, L=0,5 mH	120	A
PD@TC=25℃	Ολική Διαρροή Ισχύος	375	W
PD@TC=100℃	Ολική Διαρροή Ισχύος	187	W
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 175	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	175	℃

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TJ=25℃, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας	VGS=VDS , ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Αντίσταση πύλης	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (10V)	VDS=50V , VGS=10V , ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	80	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	60	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	50	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	228	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	322	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	6160	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	220	---