WSM340N10G Ν-κανάλι 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Γενική περιγραφή
Το WSM340N10G είναι το N-Ch MOSFET υψηλής απόδοσης με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, το οποίο παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες από τις εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck.Το WSM340N10G πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product, 100% εγγυημένο EAS με εγκεκριμένη πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.
Χαρακτηριστικά
Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, Super Low Gate Charge, Εξαιρετική μείωση του αποτελέσματος CdV/dt, 100% Εγγύηση EAS, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή.
Εφαρμογές
Σύγχρονη διόρθωση, Μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης φόρτωσης, Ιατρικός εξοπλισμός, drones, τροφοδοτικά PD, τροφοδοτικά LED, βιομηχανικός εξοπλισμός κ.λπ.
Σημαντικές παράμετροι
Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 100 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V | 340 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V | 230 | A |
| IDM | Ρεύμα παλμικής αποστράγγισης..TC=25°C | 1150 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας, Μονός παλμός, L=0,5mH | 1800 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός, L=0,5 mH | 120 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος | 375 | W |
| PD@TC=100℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος | 187 | W |
| TSTG | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | -55 έως 175 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | 175 | ℃ |
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TJ=25℃, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά)
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγιστη. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (10V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 60 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=50V , VGS=10V ,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 50 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 228 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 322 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=40V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 6160 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 220 | --- |
Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς
