WSM320N04G Ν-κανάλι 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

WSM320N04G N-κανάλι 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET Επιλεγμένη εικόνα

σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1,2 mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:320Α

Κανάλι:Ν-κανάλι

Πακέτο:TOLL-8L

Περίληψη προϊόντος:Το WSM320N04G MOSFET έχει τάση 40V, ρεύμα 320Α, αντίσταση 1,2mΩ, κανάλι N και συσκευασία TOLL-8L.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, drones, ιατρικά, φόρτιση αυτοκινήτου, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WSM320N04G είναι ένα MOSFET υψηλής απόδοσης που χρησιμοποιεί σχεδίαση τάφρου και έχει πολύ υψηλή πυκνότητα κυψελών. Έχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης και είναι κατάλληλο για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονων μετατροπέων buck. Το WSM320N04G πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product και είναι εγγυημένο ότι έχει 100% EAS και πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, ενώ διαθέτει επίσης χαμηλή φόρτιση πύλης για βέλτιστη απόδοση. Επιπλέον, διαθέτει εξαιρετική μείωση του αποτελέσματος CdV/dt, 100% εγγύηση EAS και φιλική προς το περιβάλλον επιλογή.

Εφαρμογές

Σύγχρονος μετατροπέας Buck Point-of-Load υψηλής συχνότητας, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, εφαρμογή ηλεκτρικού εργαλείου, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, drones, ιατρικά, φόρτιση αυτοκινήτου, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	40	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	900	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3	980	mJ
IAS	Ρεύμα χιονοστιβάδας	70	A
PD@TC=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	250	W
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 175	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 175	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=1mA	---	0,050	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=10V , ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=4,5V , ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας	VGS=VDS , ID =250uA	---	-6,94	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=5V , ID=50A	---	160	---	S
Rg	Αντίσταση πύλης	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	43	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	83	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=20V , VGEN=4,5V , RG=2,7Ω, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	115	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	95	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	80	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	1200	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	800	---