WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
Γενική Περιγραφή
Το WSF70P02 MOSFET είναι η κορυφαία συσκευή τάφρου καναλιού P με υψηλή πυκνότητα κυψελών. Προσφέρει εξαιρετική χρέωση RDSON και πύλης για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονων μετατροπέων buck. Η συσκευή πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product, είναι 100% εγγυημένη για EAS και έχει εγκριθεί για πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.
Χαρακτηριστικά
Προηγμένη τεχνολογία Trench με υψηλή πυκνότητα κυψελών, εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, εξαιρετική μείωση στο φαινόμενο CdV/dt, 100% εγγύηση EAS και επιλογές για φιλικές προς το περιβάλλον συσκευές.
Εφαρμογές
High Frequency Point-of-Load Synchronous, Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, τροφοδοτικά έκτακτης ανάγκης, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτου , ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.
αντίστοιχο αριθμό υλικού
AOS
Σημαντικές παράμετροι
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες | |
| 10s | Σταθερή κατάσταση | |||
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | -20 | V | |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | -200 | A | |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 | 360 | mJ | |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος4 | 80 | W | |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ | |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ | |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=-4,5V , ID=-15A | --- | 6.8 | 9.0 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1.2 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=-10V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 77 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 520 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 445 | --- |
