WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6,8 mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:-70Α

Κανάλι:P-Channel

Πακέτο:ΤΟ-252

Περίληψη προϊόντος:Το WSF70P02 MOSFET έχει τάση -20V, ρεύμα -70A, αντίσταση 6,8mΩ, P-Channel και συσκευασία TO-252.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, εφεδρικά αντίγραφα ισχύος, drones, υγειονομική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ηλεκτρονικά είδη, συσκευές και καταναλωτικά αγαθά.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WSF70P02 MOSFET είναι η κορυφαία συσκευή τάφρου καναλιού P με υψηλή πυκνότητα κυψελών. Προσφέρει εξαιρετική χρέωση RDSON και πύλης για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονων μετατροπέων buck. Η συσκευή πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product, είναι 100% εγγυημένη για EAS και έχει εγκριθεί για πλήρη αξιοπιστία λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη τεχνολογία Trench με υψηλή πυκνότητα κυψελών, εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, εξαιρετική μείωση στο φαινόμενο CdV/dt, 100% εγγύηση EAS και επιλογές για φιλικές προς το περιβάλλον συσκευές.

Εφαρμογές

High Frequency Point-of-Load Synchronous, Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA, Networking DC-DC Power System, Load Switch, Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, τροφοδοτικά έκτακτης ανάγκης, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτου , ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση		Μονάδες
		10s	Σταθερή κατάσταση
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	-20		V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±12		V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	-200		A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3	360		mJ
IAS	Ρεύμα χιονοστιβάδας	-55,4		A
PD@TC=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	80		W
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 150		℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150		℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=-4,5V , ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-10A	---	8.2	11
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1.2	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας		---	2,94	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V)	VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	9.1	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	13	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=-10V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	77	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	195	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	186	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	520	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	445	---