WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Γενική Περιγραφή
Το WSF6012 MOSFET είναι μια συσκευή υψηλής απόδοσης με σχεδιασμό υψηλής πυκνότητας κυψελών. Παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης κατάλληλη για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονων μετατροπέων buck. Επιπλέον, πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product και συνοδεύεται από 100% εγγύηση EAS για πλήρη λειτουργικότητα και αξιοπιστία.
Χαρακτηριστικά
Προηγμένη τεχνολογία Trench με υψηλή πυκνότητα κυψελών, εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, εξαιρετική μείωση του εφέ CdV/dt, 100% εγγύηση EAS και επιλογές συσκευής φιλικές προς το περιβάλλον.
Εφαρμογές
Σύγχρονος μετατροπέας Buck Point-of-Load υψηλής συχνότητας, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, τροφοδοτικά έκτακτης ανάγκης, drones, υγειονομική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακές συσκευές, μικρές οικιακές συσκευές, και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.
αντίστοιχο αριθμό υλικού
AOS AOD603A,
Σημαντικές παράμετροι
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες | |
| N-Channel | P-Channel | |||
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 60 | -60 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | 46 | -36 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Απώλεια Ισχύος4 | 34.7 | 34.7 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V , ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4,5V , ID=5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V) | VDS=48V , VGS=4,5V , ID=8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=30V, VGS=4,5V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 70 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 35 | --- |
