WSD80120DN56 N-κανάλι 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD80120DN56 MOSFET είναι 85V, το ρεύμα είναι 120A, η αντίσταση είναι 3,7mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
MOSFET ιατρικής τάσης, φωτογραφικός εξοπλισμός MOSFET, drones MOSFET, βιομηχανικός έλεγχος MOSFET, 5G MOSFET, ηλεκτρονικά αυτοκινήτων MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STΜικροηλεκτρονικά MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 85 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V | 96 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης..TC=25°C | 384 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας, Μονός παλμός, L=0,5mH | 320 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός, L=0,5 mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος | 53 | W |
| TSTG | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | -55 έως 175 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | 175 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγιστη. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSΣυντελεστής θερμοκρασίας | Αναφορά στο 25℃, ΕΓΩD= 1 mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης | VGS=10V,ID=50Α | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΕΓΩD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=10Α | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 11 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 18 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 180 | --- |
