WSD80100DN56 N-κανάλι 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD80100DN56 MOSFET είναι 80V, το ρεύμα είναι 100A, η αντίσταση είναι 6,1mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Drones MOSFET, κινητήρες MOSFET, ηλεκτρονικά αυτοκινήτων MOSFET, μεγάλες συσκευές MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 80 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±20 | V |
| TJ | Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης | 150 | °C |
| ID | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | °C |
| ID | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS=10V,TC=100°C | 80 | A | |
| IDM | Ρεύμα παλμικής αποστράγγισης, ΤC=25°C | 380 | A |
| PD | Μέγιστη Απαγωγή Ισχύος, ΤC=25°C | 200 | W |
| RqJC | Θερμική αντίσταση-Διασύνδεση με θήκη | 0,8 | °C |
| EAS | Ενέργεια χιονοστιβάδας, Μονός παλμός, L=0,5mH | 800 | mJ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSΣυντελεστής θερμοκρασίας | Αναφορά στο 25℃, ΙD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V, ID=40Α | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΙD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V, ΙD=20Α | 80 | --- | --- | S |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (10V) | VDS=30V, VGS=10V, ID=30Α | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 30 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=30V, VGS=10V, RG=2,5Ω, ΙD=2A ,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 19 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 70 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 30 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 410 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 315 | --- |
