WSD75N12GDN56 N-κανάλι 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD75N12GDN56 MOSFET είναι 120V, το ρεύμα είναι 75A, η αντίσταση είναι 6mΩ, το κανάλι είναι Ν-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Ιατρικός εξοπλισμός MOSFET, drones MOSFET, PD τροφοδοτικά MOSFET, LED τροφοδοτικά MOSFET, βιομηχανικός εξοπλισμός MOSFET.
Πεδία εφαρμογής MOSFET Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών επωνυμίας
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDSS | Τάση αποστράγγισης σε πηγή | 120 | V |
| VGS | Τάση πύλης σε πηγή | ±20 | V |
| ID | 1 Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης | 320 | A |
| IAR | Μονοπαλμικό ρεύμα χιονοστιβάδας | 40 | A |
| EASa | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού | 240 | mJ |
| PD | Διαρροή Ισχύος | 125 | W |
| TJ, Tstg | Εύρος θερμοκρασίας διασταύρωσης λειτουργίας και αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TL | Μέγιστη θερμοκρασία συγκόλλησης | 260 | ℃ |
| RθJC | Θερμική αντίσταση, σύνδεση με θήκη | 1.0 | ℃/Δ |
| RθJA | Θερμική αντίσταση, Junction-to-Ambient | 50 | ℃/Δ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες δοκιμής | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδες |
| VDSS | Τάση διακοπής αποστράγγισης στην πηγή | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής στην πηγή | VDS = 120V, VGS= 0V | -- | -- | 1 | μΑ |
| IGSS(F) | Προώθηση διαρροής από πύλη στην πηγή | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Αντίστροφη διαρροή από πύλη στην πηγή | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Τάση κατωφλίου πύλης | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Αντίσταση αποστράγγισης σε πηγή | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VGS = 0V VDS = 50V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Αντίσταση πύλης | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ON) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Ώρα ανόδου | -- | 11 | -- | ns | |
| td (ΑΠΕΝΕΡΓΟΠΟΙΗΣΗ) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Φθινοπωρινή ώρα | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Συνολική χρέωση πύλης | VGS =0~10V VDS = 50VID =20Α | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Χρέωση πηγής πύλης | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Φόρτιση αποστράγγισης πύλης | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Μπροστινό ρεύμα διόδου | TC =25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ΘΕΩΡΙΑ | Παλμικό ρεύμα διόδου | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Μπροστινή τάση διόδου | IS=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Αντίστροφη χρέωση ανάκτησης | -- | 250 | -- | nC |
