WSD75100DN56 N-κανάλι 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD75100DN56 MOSFET είναι 75V, το ρεύμα είναι 100A, η αντίσταση είναι 5,3mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, ασύρματη φόρτιση MOSFET, drones MOSFET, ιατρική περίθαλψη MOSFET, φορτιστές αυτοκινήτου MOSFET, ελεγκτές MOSFET, ψηφιακά προϊόντα MOSFET, μικρές οικιακές συσκευές MOSFET, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET3GNS3MI OSFET PDC7966X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 75 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±25 | V |
| TJ | Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης | 150 | °C |
| ID | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | °C |
| IS | Συνεχές μπροστινό ρεύμα διόδου, ΤC=25°C | 50 | A |
| ID | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS=10V,TC=25°C | 100 | A |
| Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS=10V,TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Ρεύμα παλμικής αποστράγγισης, ΤC=25°C | 400 | A |
| PD | Μέγιστη Απαγωγή Ισχύος, ΤC=25°C | 155 | W |
| Μέγιστη Απαγωγή Ισχύος, ΤC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Περιβάλλον ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Θερμική αντίσταση-Διασταύρωση με περιβάλλον, σταθερή κατάσταση | 60 | °C | |
| RqJC | Θερμική αντίσταση-Διασύνδεση με θήκη | 0,8 | °C |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός, L=0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Ενέργεια χιονοστιβάδας, Μονός παλμός, L=0,5mH | 225 | mJ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSΣυντελεστής θερμοκρασίας | Αναφορά στο 25℃, ΙD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V, ID=25Α | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΙD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V, ΙD=20Α | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=40Α | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 17 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=30V, VΓΕΝ=10V, RG=1Ω, ΙD=1A ,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 14 | 26 | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | 100 | 195 | 250 |
