WSD60N12GDN56 N-κανάλι 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD60N12GDN56 MOSFET είναι 120V, το ρεύμα είναι 70A, η αντίσταση είναι 10mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Ιατρικός εξοπλισμός MOSFET, drones MOSFET, PD τροφοδοτικά MOSFET, LED τροφοδοτικά MOSFET, βιομηχανικός εξοπλισμός MOSFET.
Πεδία εφαρμογής MOSFET Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών επωνυμίας
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Ημιαγωγός MOSFET PDC974X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 120 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης | 70 | A |
| εκτοπισμένος | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης | 150 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας, Ενιαίος παλμός | 53.8 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος | 140 | W |
| TSTG | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγιστη. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 120 | --- | --- | V |
| Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης | VGS=10V,ID=10A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS=4,5V,ID=10A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΕΓΩD=250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=25Α | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=50V, VGS=10V, RG=2Ω, ΙD=25Α | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 10 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 112 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 11 | --- | ||
| IS | Συνεχές ρεύμα πηγής | VG=VD=0V, Ρεύμα δύναμης | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Ρεύμα παλμικής πηγής | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Μπροστινή τάση διόδου | VGS=0V, IS=12Α, ΤJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης | IF=25A,dI/dt=100A/μs,TJ=25℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Αντίστροφη χρέωση ανάκτησης | --- | 135 | --- | nC |
