WSD6060DN56 N-κανάλι 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του MOSFET WSD6060DN56 είναι 60V, το ρεύμα είναι 65A, η αντίσταση είναι 7,5mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, ασύρματη φόρτιση MOSFET, κινητήρες MOSFET, drones MOSFET, MOSFET ιατρικής περίθαλψης, φορτιστές αυτοκινήτου MOSFET, ελεγκτές MOSFET, ψηφιακά προϊόντα MOSFET, μικρές οικιακές συσκευές MOSFET, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Ημιαγωγός MOSFET PDC696X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδα | |
| Κοινές αξιολογήσεις | ||||
| VDSS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 60 | V | |
| VGSS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | V | |
| TJ | Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης | 150 | °C | |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | °C | |
| IS | Συνεχές μπροστινό ρεύμα διόδου | Tc=25°C | 30 | A |
| ID | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης | Tc=25°C | 65 | A |
| Tc=70°C | 42 | |||
| I DM β | Δοκιμασμένο ρεύμα εκκένωσης παλμών | Tc=25°C | 250 | A |
| PD | Μέγιστη απαγωγή ισχύος | Tc=25°C | 62,5 | W |
| TC=70°C | 38 | |||
| RqJL | Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Μόλυβδο | Σταθερή κατάσταση | 2.1 | °C/W |
| RqJA | Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Περιβάλλον | t £ 10s | 45 | °C/W |
| Σταθερή κατάστασηb | 50 | |||
| Ι AS d | Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός | L=0,5mH | 18 | A |
| E AS d | Ενέργεια χιονοστιβάδας, Ενιαίος παλμός | L=0,5mH | 81 | mJ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες δοκιμής | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα | |
| Στατικά Χαρακτηριστικά | |||||||
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, IDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | Ρεύμα αποστράγγισης τάσης μηδενικής πύλης | VDS=48V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VDS=VGS, ΙDS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(ON) 3 | Αντίσταση σε κατάσταση αποστράγγισης | VGS=10V, ΙDS=20Α | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS=4,5V, ΙDS=15 Α | - | 10 | 15 | ||||
| Χαρακτηριστικά διόδου | |||||||
| V SD | Μπροστινή τάση διόδου | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.2 | V | |
| trr | Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης | ISD=20Α, δλSD /dt=100A/μs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | Αντίστροφη χρέωση ανάκτησης | - | 36 | - | nC | ||
| Δυναμικά Χαρακτηριστικά3,4 | |||||||
| RG | Αντίσταση πύλης | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VGS=0V, VDS= 30 V, F=1,0MHz Ω | - | 1340 | - | pF | |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | - | 270 | - | |||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | - | 40 | - | |||
| td(ON) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
| tr | Χρόνος ανόδου ενεργοποίησης | - | 6 | - | |||
| td( OFF) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | - | 33 | - | |||
| tf | Απενεργοποίηση Φθινοπωρινή ώρα | - | 30 | - | |||
| Χαρακτηριστικά φόρτισης πύλης 3,4 | |||||||
| Qg | Συνολική χρέωση πύλης | VDS= 30 V, VGS=4,5V, ΙDS=20Α | - | 13 | - | nC | |
| Qg | Συνολική χρέωση πύλης | VDS=30V, VGS=10V, IDS=20Α | - | 27 | - | ||
| Qgth | Χρέωση κατωφλίου πύλης | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | - | 5 | - | |||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | - | 4.2 | - | |||
