WSD6060DN56 N-channel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

WSD6060DN56 N-κανάλι 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET Επιλεγμένη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Αριθμός ανταλλακτικού:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:65Α

RDSON:7,5 mΩ

Κανάλι:Ν-κανάλι

Πακέτο:DFN5X6-8

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET

Η τάση του MOSFET WSD6060DN56 είναι 60V, το ρεύμα είναι 65A, η αντίσταση είναι 7,5mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.

Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET

Ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, ασύρματη φόρτιση MOSFET, κινητήρες MOSFET, drones MOSFET, MOSFET ιατρικής περίθαλψης, φορτιστές αυτοκινήτου MOSFET, ελεγκτές MOSFET, ψηφιακά προϊόντα MOSFET, μικρές οικιακές συσκευές MOSFET, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης MOSFET.

Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Ημιαγωγός MOSFET PDC696X.

Παράμετροι MOSFET

Σύμβολο	Παράμετρος		Εκτίμηση	Μονάδα
Κοινές αξιολογήσεις
VDSS	Τάση πηγής αποστράγγισης		60	V
VGSS	Πύλη-Τάση πηγής		±20	V
T_J	Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης		150	°C
TSTG	Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης		-55 έως 150	°C
I_S	Συνεχές μπροστινό ρεύμα διόδου	T_c=25°C	30	A
ID	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης	T_c=25°C	65	A
ID	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης	T_c=70°C	42	A
I DM β	Δοκιμασμένο ρεύμα εκκένωσης παλμών	T_c=25°C	250	A
P_D	Μέγιστη απαγωγή ισχύος	T_c=25°C	62,5	W
P_D	Μέγιστη απαγωγή ισχύος	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Μόλυβδο	Σταθερή κατάσταση	2.1	°C/W
RqJA	Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Περιβάλλον	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Περιβάλλον	Σταθερή κατάσταση^b	50	°C/W
Ι AS^d	Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός	L=0,5mH	18	A
E AS d	Ενέργεια χιονοστιβάδας, Ενιαίος παλμός	L=0,5mH	81	mJ

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες δοκιμής		Ελάχ.	Τυπ.	Μέγιστη.	Μονάδα
Στατικά Χαρακτηριστικά
BV_DSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	V_GS=0V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Ρεύμα αποστράγγισης τάσης μηδενικής πύλης	V_DS=48V, V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Ρεύμα αποστράγγισης τάσης μηδενικής πύλης						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	V_DS=V_GS, ΕΓΩ_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης	V_GS=±20V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) 3	Αντίσταση σε κατάσταση αποστράγγισης	V_GS=10V, Ι_DS=20Α		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Αντίσταση σε κατάσταση αποστράγγισης	V_GS=4,5V, Ι_DS=15 Α		-	10	15	m W
Χαρακτηριστικά διόδου
V SD	Μπροστινή τάση διόδου	I_SD=1Α, V_GS=0V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης	I_SD=20Α, δλ_SD/dt=100A/μs		-	42	-	ns
Q_rr	Αντίστροφη χρέωση ανάκτησης	I_SD=20Α, δλ_SD/dt=100A/μs		-	36	-	nC
Δυναμικά Χαρακτηριστικά^3,4
R_G	Αντίσταση πύλης	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Χωρητικότητα εισόδου	V_GS=0V, V_DS= 30 V, F=1,0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Χωρητικότητα εξόδου			-	270	-
C_rss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς			-	40	-
td(ON)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Χρόνος ανόδου ενεργοποίησης			-	6	-
td( OFF)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης			-	33	-
t_f	Απενεργοποίηση Φθινοπωρινή ώρα			-	30	-
Χαρακτηριστικά φόρτισης πύλης ^3,4
Q_g	Συνολική χρέωση πύλης	V_DS= 30 V, V_GS=4,5V, Ι_DS=20Α		-	13	-	nC
Q_g	Συνολική χρέωση πύλης	V_DS=30V, V_GS=10V, I_DS=20Α		-	27	-
Q_gth	Χρέωση κατωφλίου πύλης			-	4.1	-
Q_gs	Χρέωση Πύλης-Πηγής			-	5	-
Q_gd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης			-	4.2	-