WSD6040DN56 N-channel 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD6040DN56 MOSFET είναι 60V, το ρεύμα είναι 36A, η αντίσταση είναι 14mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, ασύρματη φόρτιση MOSFET, κινητήρες MOSFET, drones MOSFET, MOSFET ιατρικής περίθαλψης, φορτιστές αυτοκινήτου MOSFET, ελεγκτές MOSFET, ψηφιακά προϊόντα MOSFET, μικρές οικιακές συσκευές MOSFET, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες | ||
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 60 | V | ||
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | V | ||
| ID | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης | ΤΑ=25°C | 8.4 | A | |
| ΤΑ=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Μέγιστη απαγωγή ισχύος | TC=25°C | 37.8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Μέγιστη απαγωγή ισχύος | ΤΑ=25°C | 2.08 | W | |
| ΤΑ=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός | L=0,5mH | 16 | A | |
| ΕΑΣc | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Συνεχές μπροστινό ρεύμα διόδου | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Θερμική αντίσταση Διασταύρωση με το περιβάλλον | Σταθερή κατάσταση | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Θερμική αντίσταση-Διασύνδεση με θήκη | Σταθερή κατάσταση | 3.3 | ℃/W | |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα | |
| Στατικός | |||||||
| V(BR)DSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Ρεύμα αποστράγγισης τάσης μηδενικής πύλης | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | μΑ | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Σχετικά με τα Χαρακτηριστικά | |||||||
| VGS(TH) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(ενεργό)d | Αντίσταση σε κατάσταση αποστράγγισης | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Εναλλαγή | |||||||
| Qg | Συνολική χρέωση πύλης | VDS=30V VGS=10V ID=25Α | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | 9.6 | nC | ||||
| td (on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VGEN=10V VDD=30V ID=1Α RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Χρόνος ανόδου ενεργοποίησης | 9 | ns | ||||
| td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | 58 | ns | ||||
| tf | Απενεργοποίηση Φθινοπωρινή ώρα | 14 | ns | ||||
| Rg | Αντίσταση πύλης | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Δυναμικός | |||||||
| Ciss | Σε Χωρητικότητα | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Έξω χωρητικότητα | 140 | pF | ||||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | 100 | pF | ||||
| Χαρακτηριστικά διόδου πηγής αποστράγγισης και μέγιστες βαθμολογίες | |||||||
| IS | Συνεχές ρεύμα πηγής | VG=VD=0V , Ρεύμα δύναμης | 18 | A | |||
| ΘΕΩΡΙΑ | Ρεύμα παλμικής πηγής3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Μπροστινή τάση διόδου | ISD = 20A , VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης | ISD=25Α, δλSD/dt=100A/μs | 27 | ns | |||
| Qrr | Αντίστροφη χρέωση ανάκτησης | 33 | nC | ||||
