WSD45N10GDN56 N-κανάλι 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD45N10GDN56 MOSFET είναι 100V, το ρεύμα είναι 45A, η αντίσταση είναι 14,5mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, ασύρματη φόρτιση MOSFET, κινητήρες MOSFET, drones MOSFET, MOSFET ιατρικής περίθαλψης, φορτιστές αυτοκινήτου MOSFET, ελεγκτές MOSFET, ψηφιακά προϊόντα MOSFET, μικρές οικιακές συσκευές MOSFET, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Ημιαγωγός MOSFET PDC966X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 100 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης | 130 | A |
| EASb | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού | 169 | mJ |
| IASb | Ρεύμα χιονοστιβάδας | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος | 5.0 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά στο 25℃, ΙD= 1 mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(ON)d | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V, ID=26Α | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΙD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Αντίσταση πύλης | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | Συνολική φόρτιση πύλης (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=26Α | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 12 | --- | ||
| Td(on)e | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=30V, VΓΕΝ=10V, RG=6Ω ID=1A ,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Ώρα ανόδου | --- | 9 | 17 | ||
| Td(off)e | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 22 | 40 | ||
| Ο Σισέ | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 42 | --- |
