WSD4280DN22 Dual P-channel -15V -4,6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD4280DN22 MOSFET είναι -15V, το ρεύμα είναι -4,6A, η αντίσταση είναι 47mΩ, το κανάλι είναι Dual P-channel και η συσκευασία είναι DFN2X2-6L.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Αμφίδρομος διακόπτης μπλοκαρίσματος. Εφαρμογές μετατροπής DC-DC; Φόρτιση μπαταρίας λιθίου; MOSFET ηλεκτρονικού τσιγάρου, MOSFET ασύρματης φόρτισης, MOSFET φόρτισης αυτοκινήτου, MOSFET ελεγκτή, MOSFET ψηφιακού προϊόντος, MOSFET μικρών οικιακών συσκευών, MOSFET ηλεκτρονικών ειδών ευρείας κατανάλωσης.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
PANJIT MOSFET PJQ2815
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | -15 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS= -4,5V1 | -4.6 | A |
| IDM | 300μS παλμικό ρεύμα αποστράγγισης, (VGS=-4,5 V) | -15 | A |
| PD | Απόσβεση διαρροής ισχύος πάνω από TA = 25°C (Σημείωση 2) | 1.9 | W |
| TSTG, TJ | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| RθJA | Θερμική αντίσταση Junction-περιβάλλον1 | 65 | ℃/Δ |
| RθJC | Θερμική Αντίσταση Junction-Case1 | 50 | ℃/Δ |
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TJ=25 ℃, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά)
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=-250uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ΙD=-1 mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=-4,5V, ΙD=-1Α | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ΙD=-1Α | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1,8V, ΙD=-1Α | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΙD=-250uA | -0,4 | -0,62 | -1.2 | V |
| △ VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=-10V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=-5V, ΙD=-1Α | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ΙD=-4,6Α | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=-10V,VGS=-4,5V, RG=1Ω ID=-3,9Α, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 16 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 96 | --- |
