WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD4098 Διπλό N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Επιλεγμένη εικόνα

σύντομη περιγραφή:

Πρόκειται για μια μαγνητική ασύρματη τράπεζα ισχύος που αναγνωρίζει αυτόματα τα τηλέφωνα Apple και δεν απαιτεί ενεργοποίηση κουμπιού. Ενσωματώνει πρωτόκολλα ταχείας φόρτισης εισόδου και εξόδου 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC. Είναι ένα προϊόν ασύρματης τράπεζας τροφοδοσίας που είναι συμβατό με μετατροπείς σύγχρονης ενίσχυσης/υποβάθμισης κινητών τηλεφώνων Apple/Samsung, διαχείριση φόρτισης μπαταρίας λιθίου, ένδειξη ισχύος ψηφιακού σωλήνα, μαγνητική ασύρματη φόρτιση και άλλες λειτουργίες.

Αριθμός μοντέλου:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7,8 mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:22Α

Κανάλι:Διπλό Ν-Κανάλι

Πακέτο:DFN5*6-8

Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSD4098 MOSFET είναι 40V, το ρεύμα είναι 22A, η αντίσταση είναι 7,8mΩ, το κανάλι είναι Dual N-Channel και η συσκευασία είναι DFN5*6-8.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WSD4098DN56 είναι το Dual N-Ch MOSFET υψηλής απόδοσης με υψηλές επιδόσεις με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, το οποίο παρέχει εξαιρετικό RDSON και φόρτιση πύλης για τις περισσότερες από τις εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck. Το WSD4098DN56 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product 100% εγγυημένο EAS με πλήρη εγκεκριμένη αξιοπιστία λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυττάρων, Super Low Gate Charge, Εξαιρετική μείωση του αποτελέσματος CdV/dt, 100% Εγγυημένη EAS, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή

Εφαρμογές

Σύγχρονο σημείο φόρτωσης υψηλής συχνότητας, μετατροπέας Buck για MB/NB/UMPC/VGA, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, Διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακό προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS AON6884

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος		Εκτίμηση	Μονάδα
Κοινές αξιολογήσεις
VDSS	Τάση πηγής αποστράγγισης		40	V
VGSS	Πύλη-Τάση πηγής		±20	V
TJ	Μέγιστη θερμοκρασία διακλάδωσης		150	°C
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης		-55 έως 150	°C
IS	Συνεχές μπροστινό ρεύμα διόδου	ΤΑ=25°C	11.4	A
ID	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης	ΤΑ=25°C	22	A
ID	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης			A
		ΤΑ=70°C	22
I DM β	Δοκιμασμένο ρεύμα εκκένωσης παλμών	ΤΑ=25°C	88	A
PD	Μέγιστη απαγωγή ισχύος	Τ. =25°C	25	W
PD	Μέγιστη απαγωγή ισχύος	TC=70°C	10	W
RqJL	Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Μόλυβδο	Σταθερή κατάσταση	5	°C/W
RqJA	Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Περιβάλλον	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Θερμική Αντίσταση-Διασύνδεση με Περιβάλλον	Σταθερή κατάσταση β	90	°C/W
I AS d	Ρεύμα χιονοστιβάδας, μεμονωμένος παλμός	L=0,5mH	28	A
E AS d	Ενέργεια χιονοστιβάδας, Ενιαίος παλμός	L=0,5mH	39.2	mJ

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες δοκιμής		Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
Στατικά Χαρακτηριστικά
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Ρεύμα αποστράγγισης τάσης μηδενικής πύλης	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Ρεύμα αποστράγγισης τάσης μηδενικής πύλης						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) e	Αντίσταση σε κατάσταση αποστράγγισης	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Αντίσταση σε κατάσταση αποστράγγισης	VGS=4,5V, IDS=12 A		-	9.0	11	m W
Χαρακτηριστικά διόδου
V SD ε	Μπροστινή τάση διόδου	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης	ISD=20A, dlSD /dt=100A/μs		-	23	-	ns
Qrr	Αντίστροφη χρέωση ανάκτησης	ISD=20A, dlSD /dt=100A/μs		-	13	-	nC
Δυναμικά Χαρακτηριστικά στ
RG	Αντίσταση πύλης	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VGS=0V, VDS=20V, Συχνότητα=1,0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου			-	317	-
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς			-	96	-
td(ON)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Χρόνος ανόδου ενεργοποίησης			-	8	-
td( OFF)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης			-	30	-
tf	Απενεργοποίηση Φθινοπωρινή ώρα			-	21	-
Χαρακτηριστικά φόρτισης πύλης f
Qg	Συνολική χρέωση πύλης	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Συνολική χρέωση πύλης	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Χρέωση κατωφλίου πύλης			-	2.6	-
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής			-	4.7	-
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης			-	3	-