WSD4076DN56 N-κανάλι 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD4076DN56 MOSFET είναι 40V, το ρεύμα είναι 76A, η αντίσταση είναι 6,9mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Μικρές συσκευές MOSFET, συσκευές χειρός MOSFET, κινητήρες MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.
PANJIT MOSFET PJQ5442.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 40 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V | 33 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισηςa | 125 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμούb | 31 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος | 1.7 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSΣυντελεστής θερμοκρασίας | Αναφορά στο 25℃, ΙD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V, ID=12Α | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=4,5V, ΙD=10Α | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΙD=250uA | 1.5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(ο) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V, ΙD=20Α | --- | 18 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (10V) | VDS=20V, VGS=4,5V, ΙD=12Α | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 3.0 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=15V, VΓΕΝ=10V, RG=3,3Ω, ΙD=1Α. | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 5.6 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 20 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 11 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 185 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 38 | --- |
