WSD4076DN56 N-κανάλι 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

προϊόντα

WSD4076DN56 N-κανάλι 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Σύντομη περιγραφή:

Αριθμός ανταλλακτικού:WSD4076DN56

BVDSS:40V

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:76Α

RDSON:6,9 mΩ 

Κανάλι:Ν-κανάλι

Πακέτο:DFN5X6-8


Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET

Η τάση του MOSFET WSD4076DN56 είναι 40V, το ρεύμα είναι 76A, η αντίσταση είναι 6,9mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.

Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET

Μικρές συσκευές MOSFET, συσκευές χειρός MOSFET, κινητήρες MOSFET.

Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Παράμετροι MOSFET

Σύμβολο

Παράμετρος

Εκτίμηση

Μονάδες

VDS

Τάση πηγής αποστράγγισης

40

V

VGS

Πύλη-Σουrce Τάση

±20

V

ID@TC=25

Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V

76

A

ID@TC=100

Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V

33

A

IDM

Παλμικό ρεύμα αποστράγγισηςa

125

A

ΕΑΣ

Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμούb

31

mJ

IAS

Ρεύμα χιονοστιβάδας

31

A

PD@Ta=25

Ολική Διαρροή Ισχύος

1.7

W

TSTG

Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης

-55 έως 150

TJ

Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας

-55 έως 150

 

Σύμβολο

Παράμετρος

Συνθήκες

Ελάχ.

Τυπ.

Μέγιστη.

Μονάδα

BVDSS

Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSΣυντελεστής θερμοκρασίας Αναφορά στο 25, ΕΓΩD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 VGS=10V, ID=12Α

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(ON)

Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 VGS=4,5V, ΙD=10Α

---

10

15

VGS(ο)

Τάση κατωφλίου πύλης VGS=VDS, ΕΓΩD=250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(ο)

VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα VDS=5V, ΙD=20Α

---

18

---

S

Rg

Αντίσταση πύλης VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Συνολική φόρτιση πύλης (10V) VDS=20V, VGS=4,5V, ΙD=12Α

---

5.8

---

nC

Qgs

Χρέωση Πύλης-Πηγής

---

3.0

---

Qgd

Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης

---

1.2

---

Td(on)

Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης VDD=15V, VΓΕΝ=10V, RG=3,3Ω, ΕΓΩD=1Α.

---

12

---

ns

Tr

Ώρα ανόδου

---

5.6

---

Td(off)

Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης

---

20

---

Tf

Φθινοπωρινή ώρα

---

11

---

Ciss

Χωρητικότητα εισόδου VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Χωρητικότητα εξόδου

---

185

---

Crss

Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς

---

38

---


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενο:

  • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς