WSD4018DN22 P-κανάλι -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD4018DN22 MOSFET είναι -40V, το ρεύμα είναι -18A, η αντίσταση είναι 26mΩ, το κανάλι είναι κανάλι P και η συσκευασία είναι DFN2X2-6L.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, Super Low Gate Charge, Εξαιρετική μείωση του εφέ Cdv/dt Διατίθεται Πράσινη συσκευή, Εξοπλισμός αναγνώρισης προσώπου MOSFET, MOSFET ηλεκτρονικού τσιγάρου, MOSFET για μικρές οικιακές συσκευές, MOSFET φορτιστή αυτοκινήτου.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON2409,POTENS MOSFET PDB3909L
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | -40 | V |
| VGS | Πύλη-Τάση πηγής | ±20 | V |
| ID@Tc=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ -10V1 | -18 | A |
| ID@Tc=70℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ -10V1 | -14.6 | A |
| IDM | Ρεύμα παλμικής αποστράγγισης 300μS, VGS=-4,5V2 | 54 | A |
| PD@Tc=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος3 | 19 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TJ=25 ℃, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά)
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS | Αναφορά σε 25℃, ΙD=-1 mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=-10V, ΙD=-8,0Α | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ΙD=-6,0Α | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΙD=-250uA | -1,0 | -1,5 | -3,0 | V |
| △ VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=-40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ΙD=-1,5Α | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=-20V, VGS=-10V,RG=3Ω , RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 11 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 54 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 7.1 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 116 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 97 | --- |
