WSD40110DN56G N-κανάλι 40V 110A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD4080DN56 MOSFET είναι 40V, το ρεύμα είναι 85A, η αντίσταση είναι 4,5mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Μικρές συσκευές MOSFET, συσκευές χειρός MOSFET, κινητήρες MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 40 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1 | 58 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | 100 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 | 110,5 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος4 | 52.1 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| RθJA | Διασταύρωση Θερμικής Αντίστασης-Περιβάλλοντος1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Θερμική Αντίσταση Junction-Case1 | 2.4 | ℃/W |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V , ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V , ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS=4,5V , ID=5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS , ID =250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=10V , ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V) | VDS=20V , VGS=4,5V , ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=15V , VGS=10V RG=3,3Ω ID=1Α | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 215 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 175 | --- | ||
| IS | Συνεχές ρεύμα πηγής1,5 | VG=VD=0V, Ρεύμα δύναμης | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Μπροστινή τάση διόδου2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
