WSD30L88DN56 Dual P-channel -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD30L88DN56 Διπλό κανάλι P -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Επιλεγμένη εικόνα

σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5 mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:-49Α

Κανάλι:Διπλό κανάλι P

Πακέτο:DFN5*6-8

Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSD30L88DN56 MOSFET είναι -30V, το ρεύμα είναι-49A, η αντίσταση είναι 11,5mΩ, το κανάλι είναι Dual P-channel και η συσκευασία είναι DFN5*6-8.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WSD30L88DN56 είναι το Dual P-Ch MOSFET trench με την υψηλότερη απόδοση με εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα κυψελών, το οποίο παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες από τις εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck. Το WSD30L88DN56 πληροί τις απαιτήσεις RoHS και Green Product 100% εγγυημένο EAS με πλήρη εγκεκριμένη αξιοπιστία λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη τεχνολογία τάφρου υψηλής πυκνότητας κυψελών, φόρτιση εξαιρετικά χαμηλής πύλης, εξαιρετική μείωση του αποτελέσματος CdV/dt, Εγγυημένη 100% EAS, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή.

Εφαρμογές

Σύγχρονο σημείο φόρτωσης υψηλής συχνότητας, μετατροπέας Buck για MB/NB/UMPC/VGA, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, κινητήρες, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακός προϊόντα, μικρές οικιακές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	-30	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	-120	A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3	68	mJ
PD@TC=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	40	W
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	℃