WSD30160DN56 N-κανάλι 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD30160DN56 MOSFET είναι 30V, το ρεύμα είναι 120A, η αντίσταση είναι 1,9mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, ασύρματη φόρτιση MOSFET, drones MOSFET, ιατρική περίθαλψη MOSFET, φορτιστές αυτοκινήτου MOSFET, ελεγκτές MOSFET, ψηφιακά προϊόντα MOSFET, μικρές οικιακές συσκευές MOSFET, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.
Onsemi, MOSFET FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C5N.
TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL.
PANJIT MOSFET PJQ5426.
NIKO-SEM MOSFET PKE1BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 30 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | 300 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 | 128 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος4 | 62,5 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSΣυντελεστής θερμοκρασίας | Αναφορά στο 25℃, ΙD= 1 mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V, ID=20Α | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ΙD=15Α | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΙD=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V, ΙD=10Α | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ΙD=20Α | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=15V, VΓΕΝ=10V, RG=6Ω, ΙD=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 23 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 530 | --- |
