WSD30150DN56 N-κανάλι 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του WSD30150DN56 MOSFET είναι 30V, το ρεύμα είναι 150A, η αντίσταση είναι 1,8mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
E-τσιγάρα MOSFET, ασύρματη φόρτιση MOSFET, drones MOSFET, ιατρική περίθαλψη MOSFET, φορτιστές αυτοκινήτου MOSFET, ελεγκτές MOSFET, ψηφιακά προϊόντα MOSFET, μικρές οικιακές συσκευές MOSFET, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
AOS MOSFET AON6512,AONS3234.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 30 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS@ 10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | 200 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 | 125 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος4 | 62,5 | W |
| TSTG | Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγ. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSΣυντελεστής θερμοκρασίας | Αναφορά στο 25℃, ΙD= 1 mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V, ID=20Α | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5V, ΙD=15Α | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΙD=250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V, ΙD=10Α | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ΙD=30Α | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=15V, VΓΕΝ=10V, RG=6Ω, ΙD=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 12 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 29 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | 260 | 320 | 420 |
