WSD30140DN56 N-κανάλι 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1,7 mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:85Α

Κανάλι:Ν-κανάλι

Πακέτο:DFN5*6-8

Περίληψη προϊόντος:Η τάση του WSD30140DN56 MOSFET είναι 30V, το ρεύμα είναι 85A, η αντίσταση είναι 1,7mΩ, το κανάλι είναι N-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5*6-8.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, drones, ιατρική περίθαλψη, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικροσυσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης κ.λπ.

Αποστολή Ερώτησης PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική Περιγραφή

Το WSD30140DN56 είναι το MOSFET N-καναλιού τάφρου υψηλότερης απόδοσης με πολύ υψηλή πυκνότητα κυψελών που παρέχει εξαιρετική φόρτιση RDSON και πύλης για τις περισσότερες εφαρμογές σύγχρονου μετατροπέα buck. Το WSD30140DN56 συμμορφώνεται με τις απαιτήσεις RoHS και πράσινων προϊόντων, 100% εγγύηση EAS, εγκεκριμένη αξιοπιστία πλήρους λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

Προηγμένη τεχνολογία Trench υψηλής πυκνότητας κυψελών, εξαιρετικά χαμηλή φόρτιση πύλης, εξαιρετική εξασθένηση του εφέ CdV/dt, 100% εγγύηση EAS, διαθέσιμες πράσινες συσκευές

Εφαρμογές

Συγχρονισμός σημείου φορτίου υψηλής συχνότητας, μετατροπείς buck, δικτυωμένα συστήματα ισχύος DC-DC, εφαρμογές ηλεκτρικών εργαλείων, ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματη φόρτιση, drones, ιατρική περίθαλψη, φόρτιση αυτοκινήτου, ελεγκτές, ψηφιακά προϊόντα, μικρές συσκευές, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. ΣΤΟ NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	30	V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±20	V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	300	A
PD@TC=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	50	W
TSTG	Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 έως 150	℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150	℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγ.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=1mA	---	0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=10V , ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=4,5V , ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V)	VDS=15V , VGS=4,5V , ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	9.5	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	11.4	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=15V , VGEN=10V , RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	6	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	38.5	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	10	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	1280	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	160	---