WSD25280DN56G N-κανάλι 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Επισκόπηση προϊόντος WINSOK MOSFET
Η τάση του MOSFET WSD25280DN56G είναι 25V, το ρεύμα είναι 280A, η αντίσταση είναι 0,7mΩ, το κανάλι είναι Ν-κανάλι και η συσκευασία είναι DFN5X6-8.
Περιοχές εφαρμογής WINSOK MOSFET
Σύγχρονο σημείο φορτίου υψηλής συχνότητας,Μετατροπέας Buck,Δικτύωση Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC,Εφαρμογή Power Tool,Ηλεκτρονικά τσιγάρα MOSFET, ασύρματη φόρτιση MOSFET, drones MOSFET, ιατρική περίθαλψη MOSFET, φορτιστές αυτοκινήτου MOSFET, ελεγκτές MOSFET, ψηφιακά προϊόντα MOSFET, μικρές οικιακές συσκευές MOSFET, ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης MOSFET.
Το WINSOK MOSFET αντιστοιχεί σε άλλους αριθμούς υλικών μάρκας
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.
Παράμετροι MOSFET
| Σύμβολο | Παράμετρος | Εκτίμηση | Μονάδες |
| VDS | Τάση πηγής αποστράγγισης | 25 | V |
| VGS | Πύλη-Σουrce Τάση | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης(Silicon Limited)1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης (Silicon Limited)1,7 | 190 | A |
| IDM | Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2 | 600 | A |
| ΕΑΣ | Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3 | 1200 | mJ |
| IAS | Ρεύμα χιονοστιβάδας | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Ολική Διαρροή Ισχύος4 | 83 | W |
| TSTG | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | -55 έως 150 | ℃ |
| TJ | Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας | -55 έως 150 | ℃ |
| Σύμβολο | Παράμετρος | Συνθήκες | Ελάχ. | Τυπ. | Μέγιστη. | Μονάδα |
| BVDSS | Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης | VGS=0V, ID=250uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSΣυντελεστής θερμοκρασίας | Αναφορά στο 25℃, ΕΓΩD= 1 mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2 | VGS=10V, ID=20Α | --- | 0,7 | 0,9 | mΩ |
| VGS=4,5V, ΙD=20Α | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(ο) | Τάση κατωφλίου πύλης | VGS=VDS, ΕΓΩD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Συντελεστής θερμοκρασίας | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης | VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα | VDS=5V, ΙD=10Α | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Αντίσταση πύλης | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Συνολική φόρτιση πύλης (4,5V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ΙD=20Α | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Χρέωση Πύλης-Πηγής | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης | --- | 24 | --- | ||
| Td(on) | Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης | VDD=15V, VΓΕΝ=10V,RG=1Ω, ΕΓΩD=10Α | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Ώρα ανόδου | --- | 55 | --- | ||
| Td(off) | Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Φθινοπωρινή ώρα | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Χωρητικότητα εισόδου | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Coss | Χωρητικότητα εξόδου | --- | 1120 | --- | ||
| Crss | Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς | --- | 650 | --- |
