WSD20L120DN56 P-κανάλι -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

WSD20L120DN56 P-channel -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Επιλεγμένη εικόνα

Σύντομη περιγραφή:

Αριθμός μοντέλου:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2,1 mΩ

ΤΑΥΤΟΤΗΤΑ:-120Α

Κανάλι:Κανάλι P

Πακέτο:DFN5*6-8

Περίληψη προϊόντος:Το MOSFET WSD20L120DN56 λειτουργεί στα -20 βολτ και αντλεί ρεύμα -120 αμπέρ.Έχει αντίσταση 2,1 milliohm, κανάλι P και διατίθεται σε συσκευασία DFN5*6-8.

Εφαρμογές:Ηλεκτρονικά τσιγάρα, ασύρματοι φορτιστές, κινητήρες, drones, ιατρικός εξοπλισμός, φορτιστές αυτοκινήτων, ελεγκτές, ψηφιακές συσκευές, μικροσυσκευές και ηλεκτρονικά είδη ευρείας κατανάλωσης.

Στείλτε μας email PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Εφαρμογή

Ετικέτες προϊόντων

Γενική περιγραφή

Το WSD20L120DN56 είναι ένα P-Ch MOSFET κορυφαίας απόδοσης με δομή κυψέλης υψηλής πυκνότητας, που παρέχει εξαιρετικό φορτίο RDSON και πύλης για τις περισσότερες χρήσεις του σύγχρονου μετατροπέα buck.Το WSD20L120DN56 πληροί 100% τις απαιτήσεις EAS για RoHS και φιλικά προς το περιβάλλον προϊόντα, με έγκριση αξιοπιστίας πλήρους λειτουργίας.

Χαρακτηριστικά

1, Προηγμένη τεχνολογία τάφρου υψηλής πυκνότητας κυττάρων
2, Super Low Gate Charge
3, Εξαιρετική μείωση του αποτελέσματος CdV/dt
4, 100% Εγγύηση EAS 5, Διαθέσιμη πράσινη συσκευή

Εφαρμογές

Σύγχρονος μετατροπέας buck σημείου φόρτωσης υψηλής συχνότητας για MB/NB/UMPC/VGA, Σύστημα τροφοδοσίας DC-DC δικτύωσης, Διακόπτης φόρτωσης, ηλεκτρονικό τσιγάρο, ασύρματος φορτιστής, κινητήρες, drones, ιατρικά, φορτιστής αυτοκινήτου, ελεγκτής, ψηφιακά προϊόντα, Μικρές Οικιακές Συσκευές, Καταναλωτικά Ηλεκτρονικά.

αντίστοιχο αριθμό υλικού

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Σημαντικές παράμετροι

Σύμβολο	Παράμετρος	Εκτίμηση		Μονάδες
Σύμβολο	Παράμετρος	10s	Σταθερή κατάσταση	Μονάδες
VDS	Τάση πηγής αποστράγγισης	-20		V
VGS	Πύλη-Τάση πηγής	±10		V
ID@TC=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-69,5		A
ID@TA=25℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης2	-340		A
ΕΑΣ	Ενέργεια χιονοστιβάδας ενός παλμού3	300		mJ
IAS	Ρεύμα χιονοστιβάδας	-36		A
PD@TC=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	130		W
PD@TA=25℃	Ολική Απώλεια Ισχύος4	6.8	6.25	W
TSTG	Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης	-55 έως 150		℃
TJ	Εύρος θερμοκρασίας κόμβου λειτουργίας	-55 έως 150		℃

Σύμβολο	Παράμετρος	Συνθήκες	Ελάχ.	Τυπ.	Μέγιστη.	Μονάδα
BVDSS	Τάση βλάβης πηγής αποστράγγισης	VGS=0V , ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Συντελεστής θερμοκρασίας BVDSS	Αναφορά σε 25℃, ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2	VGS=-4,5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(ON)	Στατική αντίσταση πηγής αποστράγγισης2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(ο)	Τάση κατωφλίου πύλης	VGS=VDS , ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1,0	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(ο)	VGS(th) Συντελεστής Θερμοκρασίας		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Ρεύμα διαρροής πηγής αποστράγγισης					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Ρεύμα διαρροής πύλης-πηγής	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Εμπρόσθια Διααγωγιμότητα	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Αντίσταση πύλης	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Συνολική φόρτιση πύλης (-4,5V)	VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Χρέωση Πύλης-Πηγής		---	21	---
Qgd	Φόρτιση Πύλης-Αποστράγγισης		---	32	---
Td(on)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης	VDD=-10V, VGEN=-4,5V, RG=3Ω ID=-1A ,RL=0,5Ω	---	20	---	ns
Tr	Ώρα ανόδου		---	50	---
Td(off)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		---	100	---
Tf	Φθινοπωρινή ώρα		---	40	---
Ciss	Χωρητικότητα εισόδου	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Χωρητικότητα εξόδου		---	380	---
Crss	Αντίστροφη χωρητικότητα μεταφοράς		---	290	---